发明公开
- 专利标题： 一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法
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申请号： CN202311591602.4申请日： 2023-11-27
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公开(公告)号： CN117393609A公开(公告)日： 2024-01-12
- 发明人: 金锐 , 罗伟霞 , 牛喜平 , 桑玲 , 张文婷 , 田琰 , 李晨萌 , 崔翔 , 李哲洋 , 王鑫 , 李宾宾
- 申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址： 北京市昌平区滨河大道18号
- 专利权人： 北京智慧能源研究院,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人： 北京智慧能源研究院,国网安徽省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区滨河大道18号
- 代理机构： 北京君有知识产权代理事务所
- 代理商 焦丽雅
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L29/06 ; H01L21/336
摘要：
本发明公开了一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法，涉及半导体器件领域。该器件包括：由底到顶的衬底层、缓冲层和漂移层；漂移层中从一端到另一端嵌有多个p阱区；每两个p阱区之间设置肖特基区；肖特基区与p阱区之间为结型场效应管区；肖特基区中设置两个肖特基接触p+区；p阱区中嵌有两个n+源区和一个位于中间的源极p+区；漂移层中从一端开始每两个p阱区构成一个p阱区组；p阱区组中的源极p+区的宽度相同；漂移层中的p阱区组的源极p+区的宽度从器件的边缘至器件的中央呈递增分布；p阱区的上表面设置栅氧化层和多晶硅层；栅氧化层和多晶硅层的外表面包裹隔离介质层。本发明能提高碳化硅MOSFET器件的可靠性。