发明公开
- 专利标题： 一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET及制备方法
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申请号： CN202311609888.4申请日： 2023-11-29
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公开(公告)号： CN117393610A公开(公告)日： 2024-01-12
- 发明人: 罗伟霞 , 牛喜平 , 桑玲 , 田琰 , 刘浩 , 李新宇 , 徐开轩 , 何亚伟 , 张娜玲 , 李晨萌 , 李哲洋 , 金锐 , 谢伟 , 华斌
- 申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网上海市电力公司
- 申请人地址： 北京市昌平区滨河大道18号
- 专利权人： 北京智慧能源研究院,国网上海市电力公司
- 当前专利权人： 北京智慧能源研究院,国网上海市电力公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区滨河大道18号
- 代理机构： 北京君有知识产权代理事务所
- 代理商 焦丽雅
- 主分类号： H01L29/78
- IPC分类号： H01L29/78 ; H01L21/336 ; H01L29/06 ; H01L29/08 ; H01L29/16 ; H01L29/423
摘要：
本发明公开了一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET及制备方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET，包括嵌设在芯片基底上表面的集成模块，以及覆盖于集成模块上表面的共覆金属层；集成模块包括自芯片基底边缘至芯片基底中央间隔分布的若干个元胞；元胞包括肖特基区，对称设置在肖特基区外侧的两个沟槽型栅氧化区，以及对称设置在两个沟槽型栅氧化区外侧的两个源极区；源极区包括源极P+区，在若干个元胞中源极P+区的宽度自边缘至中央呈递增分布。本发明的有益效果是：本发明提供的一种高可靠性的沟槽型碳化硅MOSFET元胞面积小、单位面积电流密度高、芯片温度分布均匀。
IPC分类:
