发明公开
- 专利标题: 一种基于电场调控磁性的氧化镓异质结二极管及其制备方法
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申请号: CN202311585613.1申请日: 2023-11-24
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公开(公告)号: CN117393614A公开(公告)日: 2024-01-12
- 发明人: 彭博 , 黄锦 , 孙凯 , 于淼 , 贾仁需 , 张玉明
- 申请人: 西安电子科技大学
- 申请人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人: 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址: 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构: 西安嘉思特知识产权代理事务所
- 代理商 刘长春
- 主分类号: H01L29/861
- IPC分类号: H01L29/861 ; H01L29/267 ; H01L21/34
摘要:
本发明公开了一种基于电场调控磁性的氧化镓异质结二极管及其制备方法;该二极管包括:第一欧姆接触电极、第二欧姆接触电极和Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构;Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构自下而上包括:N型β‑Ga2O3衬底、N型β‑Ga2O3外延层和P型NiO层;N型β‑Ga2O3外延层靠近P型NiO层的一侧设有Mn离子注入子层;Mn离子注入子层和P型NiO层相接触;第一欧姆接触电极位于Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构上表面,第二欧姆接触电极位于Mn掺杂氧化镓/氧化镍异质结结构的下表面;本发明通过调控加在第一欧姆接触电极和第二欧姆接触电极上的电压,实现了一种基于电场调控磁性的氧化镓异质结二极管。
IPC分类: