Invention Publication
- Patent Title: 一种BAW滤波器及其制备方法
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Application No.: CN202311579746.8Application Date: 2023-11-22
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Publication No.: CN117394821APublication Date: 2024-01-12
- Inventor: 王友良 , 邹洁 , 唐供宾
- Applicant: 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
- Applicant Address: 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- Assignee: 深圳新声半导体有限公司,北京新声半导体有限公司
- Current Assignee: 深圳新声半导体有限公司,北京新声半导体有限公司
- Current Assignee Address: 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社区中康路136号深圳新一代产业园3栋801
- Agency: 北京集佳知识产权代理有限公司
- Agent 姚文杰
- Main IPC: H03H9/56
- IPC: H03H9/56 ; H03H3/02 ; H03H9/58

Abstract:
本发明提供了一种BAW滤波器及其制备方法,首先通过在临时衬底的预设区域形成介质层,之后再依次形成功能膜层中的膜层及键合目标衬底,最后去除介质层和临时衬底即可形成Frame结构,此时功能膜层部分的边缘区域与目标衬底之间的间距大于功能膜层部分的中间区域与目标衬底之间的间距,相比较现有技术的方案而言,本发明可以很容易的在临时衬底上形成所需图形和尺寸的介质层,之后基于介质层在制备完BAW滤波器的其它结构后即可形成所需的Frame结构。并且功能膜层中的底电极层、压电层和顶电极层是一次性连续沉积形成的,不存在界面问题,通过键合目标衬底的方式即可形成空腔区域,节省了一步释放空腔的工序,可降低制备成本。
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