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公开(公告)号：CN117040478B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311292489.X
申请日：2023-10-08
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种BAW滤波器及其制备方法、集成电路及电子设备，该BAW滤波器中主体凹槽区域为工作区域，释放孔位于延伸凹槽区域远离所述主体凹槽区域的一侧，即释放孔位于BAW滤波器的非工作区域，则不需要考虑释放孔与工作区域对位的问题，降低了BAW滤波器的设计难度，在这一设计下释放孔的形貌也无需严格控制，降低了工艺难度，对抗静电能力有一定的提升。
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公开(公告)号：CN117318662B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311510861.X
申请日：2023-11-13
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种声表面波谐振器，包括：压电衬底，用于声电换能；压电衬底的外表面设置有叉指电极结构；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；第一温度补偿层，设置在叉指电极结构和未被叉指电极结构覆盖的压电衬底上；第一温度补偿层设置有第一通孔，第一通孔暴露出叉指电极结构的电极指；多个金属条，设置在第一温度补偿层上；各金属条均设置于叉指电极结构的电极指末端区域；且各金属条通过第一通孔连接叉指电极结构的电极指。这样，各金属条连接叉指电极结构的电极指，能够在不增加声表面波谐振器的体积的情况下，提升具有该声表面波谐振器的滤波器的抗ESD能力。本申请还公开一种MEMS设备。
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公开(公告)号：CN117277986A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311270238.1
申请日：2023-09-27
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种集成电容的体声波谐振器及其制备方法，该体声波谐振器包括：体声波谐振器载体、压电层、体声波谐振器盖体、第一电极层、第二电极层、电容介质层和电容电极单元；第一电极层、压电层和第二电极层构成有效谐振区域，第二电极层、电容介质层和电容电极单元构成电容；本发明将体声波谐振器与电容集成在同一晶圆上，由于有效谐振区域和电容共用一个第二电极层进行电信号连接，不会因额外增加电容而增加滤波器的面积；另外这种集成电容的体声波谐振器通过体声波谐振器串并联电容可以实现整体电路中电容的值的变化，从而使得体声波谐振器的并联谐振频率和串联谐振频率发生变化，进而可以灵活调节体声波谐振器的有效机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN117134736A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202311399362.8
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种集成电容的体声波谐振器及其制备方法，该体声波谐振器包括：体声波谐振器载体、压电层、体声波谐振器盖体、第一电极层、第二电极层、电容介质层和电容电极单元；第一电极层、压电层和第二电极层构成有效谐振区域，第二电极层、电容介质层和电容电极单元构成电容；本发明将体声波谐振器与电容集成在同一晶圆上，由于有效谐振区域和电容共用一个第二电极层进行电信号连接，不会因额外增加电容而增加滤波器的面积；另外这种集成电容的体声波谐振器通过体声波谐振器串并联电容可以实现整体电路中电容的值的变化，从而使得体声波谐振器的并联谐振频率和串联谐振频率发生变化，进而可以灵活调节体声波谐振器的有效机电耦合系数。
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公开(公告)号：CN117318663A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311528196.7
申请日：2023-11-15
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种能提升插损的声表面波谐振器，包括：压电衬底，用于声电换能；压电衬底的外表面设置有叉指电极结构；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；第一温度补偿层，包裹叉指电极结构；多个金属条，设置在第一温度补偿层上；各金属条均设置于叉指电极结构的电极指末端区域，且至少部分金属条的长度不一致。这样，通过在叉指电极结构的电极指末端区域设置长度不一致的金属条，能够实现对不同谐波的抑制，从而提升声表面波谐振器的插损功能。本申请还公开一种MEMS设备。
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公开(公告)号：CN117318662A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311510861.X
申请日：2023-11-13
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种声表面波谐振器，包括：压电衬底，用于声电换能；压电衬底的外表面设置有叉指电极结构；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；第一温度补偿层，设置在叉指电极结构和未被叉指电极结构覆盖的压电衬底上；第一温度补偿层设置有第一通孔，第一通孔暴露出叉指电极结构的电极指；多个金属条，设置在第一温度补偿层上；各金属条均设置于叉指电极结构的电极指末端区域；且各金属条通过第一通孔连接叉指电极结构的电极指。这样，各金属条连接叉指电极结构的电极指，能够在不增加声表面波谐振器的体积的情况下，提升具有该声表面波谐振器的滤波器的抗ESD能力。本申请还公开一种MEMS设备。
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公开(公告)号：CN117081539A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311322298.3
申请日：2023-10-13
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种声表面波谐振器，包括：衬底，用于声电换能；衬底的外表面设置有叉指电极结构和温度补偿层；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；温度补偿层，包裹叉指电极结构；电子元件，位于叉指电极结构的反射栅区；且电子元件部分或全部包裹于温度补偿层中；电子元件包括电感器或电容器。这样，将电感器或电容器设置在叉指电极结构的反射栅区，而不是设置在叉指电极结构的非反射栅区，能够不影响声表面波谐振器的声速。本申请还公开一种MEMS设备。
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公开(公告)号：CN117013974B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311286176.3
申请日：2023-10-08
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种BAW滤波器晶圆级封装方法。本发明所述封装方法包括提供BAW晶圆；在硅晶圆的表面制备图案化的干膜；通过图案化的干膜，将得到的包括干膜的硅晶圆和BAW晶圆贴合后进行晶圆级键合；贴合的过程中图案化的干膜不覆盖工作区域对应的BAW晶圆表面区域和金属焊垫；将晶圆级键合后的硅晶圆进行刻蚀形成硅穿孔使金属焊垫暴露出来；在硅晶圆的非硅穿孔区域沉积金属种子层后，在硅穿孔中电镀Cu后，在Cu表面电镀凸点，形成晶圆级封装的BAW滤波器；电镀凸点的过程不进行回流焊。所述封装方法可以避免晶圆在回流过程中由于应力过大而导致的键合面分层，大大提升产品可靠性与良率。
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公开(公告)号：CN117081539B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311322298.3
申请日：2023-10-13
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本申请涉及谐振器技术领域，公开一种声表面波谐振器，包括：衬底，用于声电换能；衬底的外表面设置有叉指电极结构和温度补偿层；叉指电极结构，通过施加电压以激励声电换能；温度补偿层，包裹叉指电极结构；电子元件，位于叉指电极结构的反射栅区；且电子元件部分或全部包裹于温度补偿层中；电子元件包括电感器或电容器。这样，将电感器或电容器设置在叉指电极结构的反射栅区，而不是设置在叉指电极结构的非反射栅区，能够不影响声表面波谐振器的声速。本申请还公开一种MEMS设备。
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公开(公告)号：CN117394821A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311579746.8
申请日：2023-11-22
申请人： 深圳新声半导体有限公司 , 北京新声半导体有限公司
摘要： 本发明提供了一种BAW滤波器及其制备方法，首先通过在临时衬底的预设区域形成介质层，之后再依次形成功能膜层中的膜层及键合目标衬底，最后去除介质层和临时衬底即可形成Frame结构，此时功能膜层部分的边缘区域与目标衬底之间的间距大于功能膜层部分的中间区域与目标衬底之间的间距，相比较现有技术的方案而言，本发明可以很容易的在临时衬底上形成所需图形和尺寸的介质层，之后基于介质层在制备完BAW滤波器的其它结构后即可形成所需的Frame结构。并且功能膜层中的底电极层、压电层和顶电极层是一次性连续沉积形成的，不存在界面问题，通过键合目标衬底的方式即可形成空腔区域，节省了一步释放空腔的工序，可降低制备成本。
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