- 专利标题： 一种电容器衬底、高容量密度电容器及其制造方法
-
申请号： CN202311744162.1申请日： 2023-12-19
-
公开(公告)号： CN117423548B公开(公告)日： 2024-03-29
- 发明人: 卢敏仪 , 郭留阳 , 罗文裕 , 黄雄霆
- 申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
- 申请人地址： 广东省广州市南沙区东涌镇昌利路六街6号
- 专利权人： 广州天极电子科技股份有限公司
- 当前专利权人： 广州天极电子科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 广东省广州市南沙区东涌镇昌利路六街6号
- 代理机构： 北京高沃律师事务所
- 代理商 王芳
- 主分类号： H01G4/06
- IPC分类号： H01G4/06 ; H01G4/012 ; H01G4/08 ; H01G13/00
摘要：
本发明公开了一种电容器衬底、高容量密度电容器及其制造方法，涉及电容器的技术领域，包括衬底和三维异形图案，所述衬底上设置有若干个三维异形的凹槽或者立柱，在一个切割块内所述凹槽或者所述立柱呈错位排布，或者所述凹槽或者所述立柱的形心呈阵列排布，相邻的所述凹槽或者所述立柱的边缘距离不大于2倍的加工余量。本发明可在缩小电容器尺寸和厚度的情况下，利用凹槽或者立柱阵列的结合，增加了介质层的表面积，有效提高电容器的容量密度。
公开/授权文献
- CN117423548A 一种电容器衬底、高容量密度电容器及其制造方法 公开/授权日：2024-01-19
