公开(公告)号：CN117423548A

公开(公告)日：2024-01-19

申请号：CN202311744162.1

申请日：2023-12-19

申请人： 广州天极电子科技股份有限公司

发明人： 卢敏仪 ,  郭留阳 ,  罗文裕 ,  黄雄霆

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/012 ,  H01G4/08 ,  H01G13/00

摘要： 本发明公开了一种电容器衬底、高容量密度电容器及其制造方法，涉及电容器的技术领域，包括衬底和三维异形图案，所述衬底上设置有若干个三维异形的凹槽或者立柱，在一个切割块内所述凹槽或者所述立柱呈错位排布，或者所述凹槽或者所述立柱的形心呈阵列排布，相邻的所述凹槽或者所述立柱的边缘距离不大于2倍的加工余量。本发明可在缩小电容器尺寸和厚度的情况下，利用凹槽或者立柱阵列的结合，增加了介质层的表面积，有效提高电容器的容量密度。

公开(公告)号：CN117423548B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311744162.1

申请日：2023-12-19

申请人： 广州天极电子科技股份有限公司

发明人： 卢敏仪 ,  郭留阳 ,  罗文裕 ,  黄雄霆

IPC分类号： H01G4/06 ,  H01G4/012 ,  H01G4/08 ,  H01G13/00

摘要： 本发明公开了一种电容器衬底、高容量密度电容器及其制造方法，涉及电容器的技术领域，包括衬底和三维异形图案，所述衬底上设置有若干个三维异形的凹槽或者立柱，在一个切割块内所述凹槽或者所述立柱呈错位排布，或者所述凹槽或者所述立柱的形心呈阵列排布，相邻的所述凹槽或者所述立柱的边缘距离不大于2倍的加工余量。本发明可在缩小电容器尺寸和厚度的情况下，利用凹槽或者立柱阵列的结合，增加了介质层的表面积，有效提高电容器的容量密度。

公开(公告)号：CN118448398A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410533420.X

申请日：2024-04-30

申请人： 广州天极电子科技股份有限公司

发明人： 雷作双 ,  黄雄霆 ,  谢茁壮 ,  卢敏仪 ,  赵阳

IPC分类号： H01L23/64 ,  H10N97/00

摘要： 本发明属于硅基电容器技术领域，具体涉及一种3D硅基电容器及其制备方法。本发明提供的3D硅基电容器在衬底层上表面设置凹槽，垂直方向上增长了第一电介质层的长度，使第一电介质层在沟槽中电容有效面积变大，从而增加了单位体积内电容的有效面积，提高芯片利用率，使电容器容值密度变大。本发明中第一电介质层和第二电介质层串联，形成T形电容，而且本发明使用电介质连接层保护器件内部，同时也可以作为第三电介质层串联连接第一电介质层和第二电介质层，而电容器的电极分布在总电介质层两端，从而使电介质连接层、第一电介质层和第二电介质层形成一个互联不间断的整体连续的电介质层，提高芯片利用率，使电容器容值密度变大。