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公开(公告)号：CN118983630A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411059959.2
申请日：2024-08-05
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
摘要： 本发明属于薄膜型环形器芯片技术领域，具体涉及一种薄膜型环形器芯片及其制备方法。本发明提供的薄膜型环形器芯片，包括铁氧体基底，依次设置在所述环形器芯片的铁氧体基底表面的相容层、打底层、金属种子层和金属层；所述相容层包括FeCoNi合金层、FeCo合金层、FeNi合金层和CoNi合金层中的一层或多层。本发明在铁氧体基底的表面设置一层相容层，通过合理选择相容层的材料，使相容层与铁氧体基底的成分相似，提高相容层与铁氧体基底的附着力，从而最终提高金属层与铁氧体基底的附着力。由此，本发明提供的薄膜型环形器芯片经加热处理或者外力作用，金属层均未出现起泡、起皮和脱落的问题。
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公开(公告)号：CN118448398A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410533420.X
申请日：2024-04-30
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
摘要： 本发明属于硅基电容器技术领域，具体涉及一种3D硅基电容器及其制备方法。本发明提供的3D硅基电容器在衬底层上表面设置凹槽，垂直方向上增长了第一电介质层的长度，使第一电介质层在沟槽中电容有效面积变大，从而增加了单位体积内电容的有效面积，提高芯片利用率，使电容器容值密度变大。本发明中第一电介质层和第二电介质层串联，形成T形电容，而且本发明使用电介质连接层保护器件内部，同时也可以作为第三电介质层串联连接第一电介质层和第二电介质层，而电容器的电极分布在总电介质层两端，从而使电介质连接层、第一电介质层和第二电介质层形成一个互联不间断的整体连续的电介质层，提高芯片利用率，使电容器容值密度变大。
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公开(公告)号：CN117294269B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311587411.0
申请日：2023-11-27
申请人： 华南理工大学 , 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： H03H1/00
摘要： 本发明涉及无源滤波器技术领域，更具体地，本发明涉及一种集成电容式带通滤波器，其输入电极和输出电极之间连接有多个串联的电容器和多个并联的电容器，多个并联的电容器为对地电容器；每个电容器包括共用底电极的两个串联电容，两个串联电容的顶电极分别作为电容器的两端电极，多个串联的电容器两端的电感呈之字形交替分布在多个串联电容器的两侧；正面膜层结构包括上电极层、绝缘薄膜和下电极层，输入电极、输出电极和电容器的两端电极位于上电极层，所述共用底电极位于下电极层，背面膜层结构包括位于绝缘支撑片下侧的背面金属层。根据本发明的方案，解决了目前的微带滤波器体积较大且配置不灵活的问题。
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公开(公告)号：CN117682870A
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202311749442.1
申请日：2023-12-18
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： C04B35/622 , C04B35/465
摘要： 本发明提供一种微波介电复合陶瓷及其制备方法，微波介电复合陶瓷包括主相成分和第二相成分，主相成分包括Mg1.2TiO3.2，第二相成分包括SiO2或MgSiO4，其中，Mg1.2TiO3.2为MgO与TiO2按摩尔比1.2:1的比例制备形成的MgTiO3和Mg2TiO4的混合物，主相成分与第二相成分混合烧结得到微波介电陶瓷。本发明提供的微波介电复合陶瓷中，主相成分为品质因数高且介电损耗低的Mg1.2TiO3.2，第二相成分具有较低的介电常数以及与Mg1.2TiO3.2相近的容量温度系数，复合形成微波介电复合陶瓷，在不影响容量温度系数的同时降低介电常数。
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公开(公告)号：CN117538258A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311541710.0
申请日：2023-11-17
申请人： 广州诺顶智能科技有限公司 , 广州天极电子科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种芯片外观检测装置及设备，芯片外观检测装置包括底座、旋转吸嘴机构、图像获取机构和规整机构；旋转吸嘴结构包括旋转支架和用于吸附芯片的吸附吸嘴，旋转支架安装于底座上，吸附吸嘴可旋转地设置于旋转支架上；图像获取机构包括检测相机，检测相机安装于底座上，并位于吸附吸嘴的一侧；规整机构包括规整座和规整装置，规整座安装于底座上，并位于吸附吸嘴远离检测相机的一侧；规整装置包括两个夹持臂，两个夹持臂的一端活动安装于规整座上，另一端设有规整端部，两个规整端部相对设置；吸附吸嘴的吸附端位于两个规整端部之间。本发明中一个检测相机与旋转吸嘴机构配合检测芯片的四个侧面，规整机构保证芯片的拍摄角度。
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公开(公告)号：CN117374541A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311605407.2
申请日：2023-11-29
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01P1/203
摘要： 本发明公开了一种多模陷波超宽带滤波器，涉及滤波器技术领域，包括从上到下依次设置的金属微带、介质基板以及金属地层，金属微带上设置有多枝节加载的多模谐振结构，多模谐振结构包括水平方向阶跃结构、第一开路阶跃谐振开路枝节和第二开路阶跃谐振开路枝节以及中心阶跃谐振枝节，水平方向阶跃结构上方耦合有两耦合线，各耦合线上均垂直加载有一开路短枝节，多模谐振结构下方耦合有阶跃开口环谐振器，金属微带上沿中心轴对称设置有两个端口传输线，各端口传输线分别与一耦合线相连接，金属地层上对应耦合线设置有两个缺陷地单元。本发明提供的多模陷波超宽带滤波器能够解决现有技术中陷波不易实现的难点，同时确保滤波器能够小型化。
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公开(公告)号：CN116845031A
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202311027188.4
申请日：2023-08-16
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , B28D5/04 , B28D7/04 , H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种超薄晶圆中超小尺寸晶粒的划切处理方法，采用了双层覆膜、分步划切的方案，先将晶圆片裁开成若干小片并在正面覆膜加烘烤的方式，有效增大了晶粒在划切过程中和胶膜的接触面积，减少划切过程中晶粒的抖动偏移，极大降低了晶粒飞片的概率，提高晶圆片的产出率，并消除减少了晶圆片的内部应力，有效改善了超薄晶圆片在划切过程中因胶膜粘贴不到位，当超高速刀片磨削时导致晶圆片碎裂的问题，同时，通过降低CH2方向的划切速度，进一步改善了超小尺寸晶粒划切时CH2方向因和胶层黏附面积减小、无晶圆内部连接时造成的晶粒抖动偏移，并通过提高CH1方向的划切速度，提高划切效率，极大缩小了晶圆划切过程中崩边、缺角的问题。
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公开(公告)号：CN116565488A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310547662.X
申请日：2023-05-15
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种方形环极窄带带通滤波用薄膜电路，涉及微带滤波用薄膜电路技术领域，该电路包括介质基板以及设置在介质基板正面区域上的信号输入端、信号输出端和方形环谐振器阵列；方形环谐振器阵列包括多个且按照阵列形式排列的方形环谐振器；其中，相邻方形环谐振器之间存在缝隙；信号输入端与方形环谐振器阵列中且位于首部的方形环谐振器直接连接，信号输出端与方形环谐振器阵列中且位于尾部的方形环谐振器直接连接；介质基板的背面区域上设置接地金属层；方形环谐振器通过金属通孔与接地金属层连接。本发明能够有效的提高了带外抑制能力，同时由于耦合区间减少实现更小的耦合距离即缝隙宽度，使其整体性能更加优越。
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公开(公告)号：CN115547962A
公开(公告)日：2022-12-30
申请号：CN202211313157.0
申请日：2022-10-25
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L27/01 , H01L21/48
摘要： 本发明公开了一种具有缓冲结构的金锡预成型焊盘的薄膜电路及其制备方法，涉及薄膜电路技术领域，该薄膜电路包括：薄膜电路基片、设置在所述薄膜电路基片上的功能层、设置在所述功能层上的金属缓冲层以及设置在所述金属缓冲层上的金锡预成型焊盘；所述金属缓冲层的最高熔点低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点，且所述金锡预成型焊盘是由金锡共晶焊料制备而成；在所述薄膜电路加热过程中，当加热温度低于所述金锡预成型焊盘的最低熔点且高于所述金属缓冲层的最高熔点时，所述金属缓冲层熔化成液态金属，降低所述金锡预成型焊盘与所述功能层之间的应力，提高了焊接可靠性。
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公开(公告)号：CN115354278A
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202211016164.4
申请日：2022-08-24
申请人： 广州天极电子科技股份有限公司
摘要： 本发明属于电子元器件制备技术领域，具体涉及一种薄膜阻容网络中薄膜电阻的制备方法。本发明提供的制备方法：以金属钽为靶材，以氮气作为反应气体，在氮气和保护气体的混合气体气氛中，将若干陶瓷基片放置在金属载板上进行磁控溅射，在陶瓷基片表面生成TaN电阻层；所述氮气的体积占所述混合气体总体积的百分比≤5％；在T所述aN电阻层的表面制备种子层，得到所述薄膜电阻。本发明提供的制备方法能够有效减少陶瓷基片的裂片率，降低薄膜电阻制备的成本，促进薄膜阻容网络向厚度为0.100mm至0.200mm规格的发展。
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