发明公开
- 专利标题： 蚀刻金属阻挡层和金属层的方法和制造半导体器件的方法
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申请号： CN202311566341.0申请日： 2019-09-18
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公开(公告)号： CN117448824A公开(公告)日： 2024-01-26
- 发明人: 金贞儿 , 朴美贤 , 李轸雨 , 金建伶 , 李晓山 , 韩勋 , 李珍旭 , 林廷训
- 申请人： 三星电子株式会社 , 秀博瑞殷株式会社
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星电子株式会社,秀博瑞殷株式会社
- 当前专利权人： 三星电子株式会社,秀博瑞殷株式会社
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市立方律师事务所
- 代理商 李娜; 王占杰
- 优先权： 10-2018-0111342 2018.09.18 KR
- 主分类号： C23F1/26
- IPC分类号： C23F1/26 ; H01L21/306 ; C23F1/02 ; C23F1/20 ; C23F1/18 ; C23F1/28 ; C09K13/06
摘要：
公开了蚀刻金属阻挡层和金属层的方法以及制造半导体器件的方法。所述方法包括：在衬底上形成金属阻挡层和金属层；以及使用蚀刻组合物蚀刻金属阻挡层和金属层。蚀刻组合物可以包括：氧化剂，选自于硝酸、溴酸、碘酸、高氯酸、过溴酸、高碘酸、硫酸、甲磺酸、对甲苯磺酸、苯磺酸或它们的组合；金属蚀刻抑制剂，包括由如在说明书中所示的化学式1表示的化合物；以及金属氧化物增溶剂，选自于磷酸、磷酸盐、具有3个至20个碳原子的羧酸或它们的组合。
IPC分类:
