发明公开
- 专利标题: 一种全桥式半导体应变片及其制作方法
-
申请号: CN202311574190.3申请日: 2023-11-22
-
公开(公告)号: CN117470421A公开(公告)日: 2024-01-30
- 发明人: 王小平 , 曹万 , 李凡亮 , 吴林 , 吴登峰
- 申请人: 武汉飞恩微电子有限公司
- 申请人地址: 湖北省武汉市东湖开发区高新大道818号医疗器械园B区12号楼3层2号(自贸区武汉片区)
- 专利权人: 武汉飞恩微电子有限公司
- 当前专利权人: 武汉飞恩微电子有限公司
- 当前专利权人地址: 湖北省武汉市东湖开发区高新大道818号医疗器械园B区12号楼3层2号(自贸区武汉片区)
- 主分类号: G01L1/22
- IPC分类号: G01L1/22
摘要:
一种成本较低的全桥式半导体应变片,包括,其包括:半导体层,包括分别地位于一参考点之左右两侧的第四焊盘基础和第三焊盘基础、位于第四焊盘基础左上方一侧的第一焊盘基础以及位于第三焊盘基础右上方一侧的第二焊盘基础;位于参考点左上方且两端分别延伸于第一焊盘基础和第四焊盘基础的第一桥臂电阻,位于参考点右上方且两端分别延伸至第三焊盘基础和第二焊盘基础的第三桥臂电阻,位于参考点下方且两端分别延伸至第四焊盘基础和第三焊盘基础的第四桥臂电阻,以及位于参考点下方且两端分别延伸至第一焊盘基础和第二焊盘基础的第二桥臂电阻;附接于半导体层前侧表面的金属层;第二桥臂电阻从下侧包围第四桥臂电阻。