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公开(公告)号：CN118090016A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410154131.9
申请日：2023-10-13
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 一种压力传感器，其包括：压力接口，其具有一压力通道；压力敏感元件；竖直且前后延伸的电路板；下端固定至压力接口的塑料制的电路板保持座，包括下部分、中间连接部分及上部分；支撑梁前后横跨地且一体地设置于电路板保持座的上侧，第一侧卡槽设置于中间连接部分的左右中部；电路板插接于电路板保持座上形成的保持槽中，保持槽包括用于固定电路板下边缘的下卡槽和用于固定电路板后侧边缘的第一侧卡槽，下卡槽设置于支撑梁的上侧；支承于电路板保持座上侧的端钮及设置于端钮上的多个电连接端子，电连接端子的一端电连接至第二导电部；及上下两端分别对应地密封连接至端钮和压力接口的壳体。其将电路板竖直设置的同时可方便其与测量电路的连接。
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公开(公告)号：CN117664404A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311814385.0
申请日：2023-12-26
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 一种力敏感元件，包括：金属制的力柔顺元件，上侧设有第一力接收部，下侧设有第二力接收部；覆盖于力柔顺元件上端面的圆形或环形的绝缘层，其上表面具有一第一环形区域和一第二环形区域，第一环形区域同心地位于第二环形区域的外侧且两者之间留有径向间隙；覆盖于绝缘层上表面的八个焊盘；电阻层，包括两个第一压敏电阻和两个第二压敏电阻，压敏感电阻为弧形且对应覆盖两个焊盘的一部分；两个第一压敏电阻的周向两端分别抵近以在周向上占据第一环形区域的大部分且之间留有第一周向间隙；两个第二压敏电阻的周向两端分别抵近以在周向上占据第二环形区域的大部分且之间留有第二周向间隙；及圆形或环形的保护层，其覆盖于电阻层上表面。
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公开(公告)号：CN117553942A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202311798718.5
申请日：2023-12-25
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本发明提供了一种MEMS压力传感器，包括基座，基座的顶面设有凹腔，所述凹腔的内壁从上往下依次设有一级感压膜片和二级感压膜片；所述一级感压膜片、二级感压膜片与凹腔的内壁合围形成密封腔，所述密封腔内部填充有导压液，所述密封腔的内径从上往下依次递减；所述二级感压膜片与凹腔的底部合围形成检测腔，所述检测腔的底面设有固定电极，所述二级感压膜片的底面设有与固定电极相配的活动电极，所述固定电极与活动电极构成第一电容器。当一级感压膜片受压向下弯曲形变时，密封腔内的导压液会压迫二级感压膜片向下弯曲形变，二级感压膜片的形变量会大于一级感压膜片的形变量，从而放大了一级感压膜片的形变量，提高了MEMS压力传感器的灵敏度。
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公开(公告)号：CN117470421A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202311574190.3
申请日：2023-11-22
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
IPC分类号： G01L1/22
摘要： 一种成本较低的全桥式半导体应变片，包括，其包括:半导体层，包括分别地位于一参考点之左右两侧的第四焊盘基础和第三焊盘基础、位于第四焊盘基础左上方一侧的第一焊盘基础以及位于第三焊盘基础右上方一侧的第二焊盘基础；位于参考点左上方且两端分别延伸于第一焊盘基础和第四焊盘基础的第一桥臂电阻，位于参考点右上方且两端分别延伸至第三焊盘基础和第二焊盘基础的第三桥臂电阻，位于参考点下方且两端分别延伸至第四焊盘基础和第三焊盘基础的第四桥臂电阻，以及位于参考点下方且两端分别延伸至第一焊盘基础和第二焊盘基础的第二桥臂电阻；附接于半导体层前侧表面的金属层；第二桥臂电阻从下侧包围第四桥臂电阻。
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公开(公告)号：CN117309221A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311301083.3
申请日：2023-10-09
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本申请提供的一种电容式压力传感器，其包括：壳体，包括金属制的第一壳体，第一壳体内开设有一压力通道；设置于壳体内部的金属制弹性膜，其外侧面密封地连通至压力通道的内侧一端以接收压力通道内的待测压力；设置于壳体内部的金属支撑筒，其一端固定连接至第一壳体；及设置于壳体内部并固定于金属支撑筒另一端的基板，其正对地设置于弹性膜内侧，其内侧表面覆接有相断开的固定极板，固定极板的外侧表面抵近于弹性膜的内侧面而形成可变电容器。其能够在使电容的相对极板间不相固定的以便于调节的同时，能够避免温度引起的极板间距变化所带来的误差。
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公开(公告)号：CN116858408A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310204164.5
申请日：2023-03-03
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 一种轴力传感器，其包括：金属制的变形体，其顶端的横向外侧设有用于接收第一力的第一受力部，其底端的横向内侧设有用于接收第二力的第二受力部；及设置于变形体顶部设置的安装面上并由数个厚膜电阻组成的压力感测电路，厚膜电阻位于第一受力部与第二受力部之间；变形体上形成有用于对第一力的施力件进行定位的第一定位结构，用于对第二力的施力件进行定位的第二定位结构。其可通过厚膜工艺制作，能够降低成本、简化工艺，提升耐温性能。
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公开(公告)号：CN113418142B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202110740573.8
申请日：2021-06-30
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本发明属于泄漏检测技术领域，公开了一种天然气泄露监测系统及方法。天然气泄露监测系统包括：天然气阀门，用于获取天然气阀门状态，并将天然气阀门状态发送至云端服务器；灶台阀门，用于获取灶台阀门状态，并将灶台阀门状态发送至云端服务器；云端服务器，用于接收天然气阀门状态和灶台阀门状态，并根据天然气阀门状态和灶台阀门状态确定待监测管道的当前状态，当当前状态处于封闭状态时，向多个压力监测传感器发送压力获取指令；多个压力监测传感器，用于在接收到压力获取指令时，获取管道气压值，并将管道气压值发送至云端服务器；云端服务器，还用于根据管道气压值判断待监测管道是否存在天然气泄漏。从而实现了对管道的泄漏检测。
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公开(公告)号：CN113244834A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202110606082.4
申请日：2021-05-31
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
IPC分类号： B01F13/10 , B01F7/24 , B01F13/06 , B01F13/08 , B01F15/06 , B01J3/00 , B01J19/18 , B01D19/00 , B67D7/02 , B67D7/70 , B67D7/78 , B67D7/76 , B67D7/06
摘要： 本发明公开充灌硅油系统，包括净化系统和灌油系统，净化系统包括用于存储硅油原液的炼油罐和设于炼油罐内的净化组件，净化组件用于炼化硅油原液以得到炼化的硅油，灌油系统包括第一抽真空装置和灌油筒，第一抽真空装置用以对灌油筒进行抽真空，灌油筒与炼油罐相连通，以使得炼化的硅油自炼油罐注入抽真空后的灌油筒内，如此实现了硅油的自动充灌，提高充灌效率，减轻了操作者的数量且降低了操作者的劳动量，节约了人力成本，且由于灌油筒内为真空状态，避免进入灌油筒内炼化的硅油被污染。
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公开(公告)号：CN112129453A
公开(公告)日：2020-12-25
申请号：CN202011114035.X
申请日：2020-10-18
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本发明提供一种烧结座、芯体结构、基座组件以及压差传感器，该用于压差传感器的烧结座包括壳体以及检测结构，壳体沿第一方向间隔设有开口朝向第二方向的第一腔室和第二腔室，所述第二腔室具有背离所述第二方向的顶壁，所述顶壁贯设有压力孔，所述壳体内设有用于流通流体介质的第一通路，所述第一腔室和第二腔室用于分别安装朝向第二方向设置的第一感振元件和第二感振元件。本发明旨在解决感振元件较小时，感振元件的热影响区离感应区较近，降低了感振元件的性能，会导致芯片感测到的经感振元件传递后的压力与实际压力存在偏差。
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公开(公告)号：CN111638002A
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN202010530588.7
申请日：2020-06-11
申请人： 武汉飞恩微电子有限公司
摘要： 本发明涉及压力传感器技术领域，且公开了一种MEMS压力传感器充油芯体，包括上盖、底座和敏感组件；所述上盖的下端与底座密封连接，所述底座和上盖构成密封腔体，所述密封腔体内填充有检测介质；所述底座上且位于密封腔体内设有敏感组件。该MEMS压力传感器充油芯体及其封装方法，采用硅弹性膜片和半导体电阻与信号标定模块组成的芯片，外部无需设置信号处理电路，引线互连少、结构简单、成本低、产品可靠性高，便于生产，并且半导体电阻和信号标定模块位于不同的平面，并且信号标定模块位于硅弹性膜片的四周，避免硅弹性膜片的应力变化影响到信号标定模块，导致信号标定模块中的线路受损的风险，有利于保证精度。
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