本申请属于功率器件技术领域，提供了一种高介电逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片，其中，N型漂移层的正面依次形成有空穴势垒层、P型阱区，P型阱区上形成与发射极接触的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，N型漂移层的背面形成电势截止层以及与集电极接触的N型集电区和P型集电区，多晶硅层通过栅极介质层与空穴势垒层、P型阱区、第一N型重掺杂区以及发射极隔离，通过在多晶硅层的底部形成高K介质层，可以调节N型漂移层内的电场分布，在相同的击穿电压下，漂移层内可以通过设计更高的掺杂浓度降低漂移层中的导通电阻，进而改善器件内的电压回跳现象，还可以通过高K介质层使得漂移层可以更快耗尽，降低了器件的关断损耗。