发明公开
- 专利标题: 一种低温MXenes基原位生长CNTs复合材料的制备方法
-
申请号: CN202311214908.8申请日: 2023-09-18
-
公开(公告)号: CN117486204A公开(公告)日: 2024-02-02
- 发明人: 张林森 , 孙琳 , 张永上 , 鲁泉冰 , 宋延华 , 万俊池 , 黄崧岳 , 韩家奇 , 曹杰
- 申请人: 郑州轻工业大学
- 申请人地址: 河南省郑州市高新技术产业开发区科学大道136号
- 专利权人: 郑州轻工业大学
- 当前专利权人: 郑州轻工业大学
- 当前专利权人地址: 河南省郑州市高新技术产业开发区科学大道136号
- 代理机构: 上海锻创知识产权代理有限公司
- 代理商 祁春倪
- 主分类号: C01B32/162
- IPC分类号: C01B32/162 ; H01M4/36 ; H01M4/58 ; H01M4/62 ; H01M10/052 ; H01M10/0525 ; H01M10/054 ; B82Y30/00 ; B82Y40/00 ; C01B32/914 ; C01B32/949 ; C01B32/921
摘要:
本发明属于新能源材料(包括离子电池、催化、电容器等)制备技术领域,具体涉及一种低温MXenes基原位生长CNTs复合材料的制备方法。该方法通过在MXenes材料层间与表面负载催化剂,在碳源气氛下,CNTs在MXenes材料层间原位生长,得到了MXenes/CNT复合材料。通过引入催化剂,CNTs的生长温度大大降低且分布均匀。CNTs在MXenes层间原位生长,增加了MXenes的层间距,为电解液提供了更大的扩散通道,同时提高了材料的比表面积,提供了更多的电化学活性位点。本发明制备的MXenes/CNT复合材料具有高比表面积,大层间距,以及更高的结构稳定性,制备温度低,层间距可调控,电化学性能优异。