本申请属于功率器件技术领域，提供了一种异质结逆导绝缘栅双极晶体管及其制备方法、芯片，其中，N型漂移层的正面依次形成有空穴势垒层、P型阱区，P型阱区上形成与发射极接触的第一P型重掺杂区和第一N型重掺杂区，N型漂移层的背面形成电势截止层、碳化硅掺杂层，以及与集电极接触的N型集电区和P型集电区，多晶硅层通过栅极介质层与空穴势垒层、P型阱区、第一N型重掺杂区以及发射极隔离，通过设置碳化硅掺杂层与电势截止层之间为异质结结构，且碳化硅掺杂层与N型集电区之间为异质结结构，可以提高器件内的内建电势，使得其内建电势大于P型集电区与电势截止层之间的内建电势，从而消除器件内的电压回跳现象。