本发明提供一种具有低漏电的IGBT及制备方法，该IGBT包括：异质结衬底；所述异质结衬底包括基底和第一N+缓冲层；所述基底位于所述第一N+缓冲层下方并与所述第一N+缓冲层邻接；所述第一N+缓冲层位于漂移层与基底之间并与所述漂移层邻接。本发明将传统的硅衬底替换为了禁带宽度更高、导热性能更好的材料，例如碳化硅材料，因为第三代半导体材料碳化硅具有带隙宽、击穿场强高、热导率高、饱和电子迁移速率高、物理化学性能稳定等特性，可适用于高温，高频环境，并且本发明在碳化硅层上方引入了N型重掺杂层作为缓冲层，硅基N+掺杂层能够形成一个电子阱，从而进一步减弱衬底端的漏电现象，降低器件整体的热效应。