本发明涉及一种晶圆加工方法及晶圆，晶圆加工方法包括：提供晶圆，晶圆的厚度为775um；研磨晶圆背面的边缘区域，以使得边缘区域与中心区域形成一台阶形，研磨边缘区域的宽度为1mm‑5mm，研磨边缘区域的深度为100um‑500um；在晶圆背面沉积形成硬掩膜层，覆盖晶圆背面的边缘区域和中心区域；研磨晶圆背面的中心区域，以使得晶圆背面的中心区域的厚度大于或等于边缘区域的厚度；对晶圆背面研磨后的中心区域进行刻蚀，以使得中心区域的厚度小于边缘区域的厚度，刻蚀后的晶圆背面的中心区域的厚度为30um‑150um；在晶圆背面进行离子注入、退火和金属沉积工艺。本发明解决了晶圆减薄工艺中的破片、表面粗糙的技术问题。