本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有3C晶型碳化硅的MOSFET及其制备方法、芯片，其中，漏极层、N型衬底层以及N型漂移层层叠设置，且N型漂移层设置为凹形结构，通过在N型漂移层的凹槽内形成锗层然后以锗层作为缓冲层形成3C晶型的碳化硅材料，并通过向碳化硅材料中注入N型掺杂离子形成碳化硅漂移层，可以利用3C晶型的碳化硅材料提高器件的临界击穿电压，从而在保持击穿电压不变的情况下减小N型漂移区的厚度，实现降低器件导通电阻的目的。