发明公开
- 专利标题: 一种合金电阻结构的设计方法及合金电阻
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申请号: CN202410045772.0申请日: 2024-01-12
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公开(公告)号: CN117558516A公开(公告)日: 2024-02-13
- 发明人: 袁凤玲 , 唐彬 , 徐恩惠
- 申请人: 普森美微电子技术(苏州)有限公司
- 申请人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区兴浦路200号9#301、401
- 专利权人: 普森美微电子技术(苏州)有限公司
- 当前专利权人: 普森美微电子技术(苏州)有限公司
- 当前专利权人地址: 江苏省苏州市中国(江苏)自由贸易试验区苏州片区兴浦路200号9#301、401
- 代理机构: 苏州创元专利商标事务所有限公司
- 代理商 俞春雷
- 主分类号: H01C1/144
- IPC分类号: H01C1/144 ; H01C1/16 ; H01C1/08 ; H01C3/00
摘要:
本发明公开了一种合金电阻结构的设计方法,所述合金电阻包括电阻区域、位于所述电阻区域两侧的电极区域、位于所述电极区域和电阻区域之间的折弯部;所述电极区域包括电极金属,所述电阻区域包括电阻合金,所述电极金属和电阻合金之间具有焊缝;所述设计方法包括如下步骤:缩短电阻区域的长度,并增大电极区域的长度,使得电阻区域的长度小于电极区域的长度;将所述焊缝设置在所述折弯部上,使得所述电极区域完全为电极金属,所述电阻区域完全为电阻合金;设置折弯部的形状,使得所述电阻区域的中点与电极区域靠近折弯部的端面中点之间的连线,其与水平面之间的夹角为11°~12°。
公开/授权文献
- CN117558516B 一种合金电阻结构的设计方法及合金电阻 公开/授权日:2024-03-15