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公开(公告)号：CN116313342B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202310037710.0
申请日：2023-01-10
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种局部塑封的大功率合金电阻的制备方法，包括如下步骤：将电极带材与合金带材进行焊接，得到料带；对料带进行冲切，使所述料带上形成多个合金电阻体；对整个料带进行塑封操作，使得所述合金电阻体的外表面全部覆盖有塑封材料；去除合金电阻体上的电极对应后续焊接的区域上的塑封材料；将合金电阻体从料带上分离，形成所述局部塑封的大功率合金电阻；将局部塑封的大功率合金电阻进行滚镀镍锡。本发明的局部塑封的大功率合金电阻的制备方法，采用料带焊接、冲切、塑封之后在分粒、塑封，制备方便，摆脱了对模具的依赖；产品整体塑封，且产品的端头和焊接区域电镀镍锡实现在产品回流焊的过程中抗氧化性能。
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公开(公告)号：CN118352138B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410481396.X
申请日：2024-01-12
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种合金电阻，包括电阻区域、位于所述电阻区域两侧的电极区域、位于所述电极区域和电阻区域之间的折弯部；所述电极区域包括电极金属，所述电阻区域包括电阻合金；所述电阻区域的长度大于单个电极区域的长度，小于电极区域的总长度。本发明的合金电阻，一方面，将焊缝外移至折弯部上，降低或去除电阻区域中铜的占比，能够有效降低合金电阻的TCR值；另一方面，通过缩短电阻区域的长度、增大电极区域的长度，使得电阻区域产生的热量能够更快的传导至电极，而电极材料的导热系数远远大于空气的导热系数，使得合金电阻的散热更快，能够加载更大的功率。
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公开(公告)号：CN118315145A
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202410481405.5
申请日：2024-01-12
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种合金电阻结构的设计方法，所述合金电阻的电极区域和电阻区域之间具有折弯部；所述电极区域包括电极金属，所述电阻区域包括电阻合金，所述电极金属和电阻合金之间具有焊缝；所述设计方法包括如下步骤：减少或避免电阻区域中的电极金属占比、增加折弯部合金的占比，降低合金电阻的TCR值；并使得电阻合金中心与电极金属距离小。本发明的合金电阻的设计方法，将焊缝外移至折弯部上，降低或去除电阻区域中铜的占比，能够有效降低合金电阻的TCR值。
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公开(公告)号：CN117772642A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311788090.0
申请日：2023-12-25
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
发明人： 颜文恒
摘要： 本发明公开了高精度低阻值的电阻分选设备，其涉及电阻分选设备技术领域，包括机架；控制箱，固定在所述机架内；输送带，架设在所述机架的上端面，且所述输送带上等距开设有多个定位槽，用于放置电阻；分选组件，安装在所述输送带的上端面；检测仪，架设在所述输送带上，且位于所述分选组件的一侧，并与所述分选组件进行电性连接。
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公开(公告)号：CN117558516B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410045772.0
申请日：2024-01-12
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种合金电阻结构的设计方法，所述合金电阻包括电阻区域、位于所述电阻区域两侧的电极区域、位于所述电极区域和电阻区域之间的折弯部；所述电极区域包括电极金属，所述电阻区域包括电阻合金，所述电极金属和电阻合金之间具有焊缝；所述设计方法包括如下步骤：缩短电阻区域的长度，并增大电极区域的长度，使得电阻区域的长度小于电极区域的长度；将所述焊缝设置在所述折弯部上，使得所述电极区域完全为电极金属，所述电阻区域完全为电阻合金；设置折弯部的形状，使得所述电阻区域的中点与电极区域靠近折弯部的端面中点之间的连线，其与水平面之间的夹角为11°~12°。
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公开(公告)号：CN112447344A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011230702.0
申请日：2020-11-06
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种毫欧级精密阻值采样器件，包括采集电阻，所述采集电阻外侧对称安装有第一套壳和第二套壳，所述第一套壳上下表面均固定连接有壳体，所述壳体两侧外壁均活动连接有拨块，所述拨块表面固定连接有第一连接杆，所述第一连接杆端部转动连接有卡块，所述壳体内腔对称焊接有导向杆，所述导向杆外壁活动连接有滑块，所述滑块一侧套接有弹簧，所述第二套壳上下表面均固定连接有凸块，所述凸块表面边缘处对称开设有卡槽，且卡槽与卡块构成嵌入式结构，本发明通过将第一套壳与第二套壳固定连接在一起，将采集电阻套接在第一套壳和第二套壳内侧，从而可有效的防止采集电阻因碰撞而损坏，起到了很好的防护作用。
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公开(公告)号：CN111403359A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010190731.2
申请日：2020-03-18
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
IPC分类号： H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/24 , H01L23/31 , H01L23/49 , H01L23/552 , H01L29/861
摘要： 本发明公开了一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，包括二极管主体，所述二极管主体的下端设置有接地引脚，所述二极管主体的上端设置有信号引脚，所述信号引脚上设置有弯钩型延长引脚，所述二极管主体的外侧设置有散热机构，本发明为一种弯钩型大功率瞬态抑制二极管，通过设置金属屏蔽层、PN结形成区和环氧树脂封装体等，达到了提高击穿电流的阈值，提高抗浪涌能力，封装结构减薄的效果，解决了现在的大多数产品，通过多层芯片堆叠从而达到大功率流通的效果，导致器件尺寸较厚，散热效果不好的问题。
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公开(公告)号：CN118335440A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410481418.2
申请日：2024-01-12
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种合金电阻的设计方法，所述设计方法包括如下步骤：缩短电阻区域的长度，并增大电极区域的长度，使得电阻区域的长度大于单个电极区域的长度，小于电极区域的总长度，以改变散热路径实现电阻区域和电极区域之间热传导的散热方式。本发明的合金电阻，通过缩短电阻区域的长度、增大电极区域的长度，使得电阻区域产生的热量能够更快的传导至电极，而电极材料的导热系数远远大于空气的导热系数，使得合金电阻的散热更快，能够加载更大的功率。
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公开(公告)号：CN117558516A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202410045772.0
申请日：2024-01-12
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
摘要： 本发明公开了一种合金电阻结构的设计方法，所述合金电阻包括电阻区域、位于所述电阻区域两侧的电极区域、位于所述电极区域和电阻区域之间的折弯部；所述电极区域包括电极金属，所述电阻区域包括电阻合金，所述电极金属和电阻合金之间具有焊缝；所述设计方法包括如下步骤：缩短电阻区域的长度，并增大电极区域的长度，使得电阻区域的长度小于电极区域的长度；将所述焊缝设置在所述折弯部上，使得所述电极区域完全为电极金属，所述电阻区域完全为电阻合金；设置折弯部的形状，使得所述电阻区域的中点与电极区域靠近折弯部的端面中点之间的连线，其与水平面之间的夹角为11°~12°。
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公开(公告)号：CN111540729B
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202010341290.1
申请日：2020-04-27
申请人： 普森美微电子技术(苏州)有限公司
发明人： 涂振坤
IPC分类号： H01L23/60 , H01L23/08 , H01L23/373 , H01L23/495
摘要： 本发明公开了一种多接触式静电抑制管，包括基板，所述基板上端面上设置有引脚框架，所述引脚框架包括一根横向设置的主架，所述主架的前后两侧均匀排列有一组引脚，相邻的引脚之间形成凹槽，所述晶片设置在凹槽中，所述晶片与引脚之间通过电极相连，所述基板的底部和四周设置外壳，所述外壳罩设在引脚框架和晶片的外部，所述外壳的内表面上设置有高电份子。本发明是一种制造工艺简化，散热性能好，静电抑制效果好的多接触式静电抑制管。
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