本发明公开一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决现有技术中电容器金属配线之间的寄生电容大的问题。包括衬底；间隔形成在衬底的上方的至少两条导电配线；每条导电配线包括上配线段，同一上配线段的底端与顶端的面积不同；上介质层，上介质层覆盖衬底上方以及每条上配线段的表面，位于衬底上方的上介质层与相邻两条导电配线上的上介质层围成密闭气隙。半导体器件的制作方法包括上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件用于降低电容器金属配线之间的寄生电容。