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公开(公告)号：CN114678249B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011555729.7
申请日：2020-12-24
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供了一种刻蚀装置，该刻蚀装置包括刻蚀腔、设置在刻蚀腔内的载台。在刻蚀腔内还设置有用于刻蚀氧化物掩膜的等离子体刻蚀组件、用于调整刻蚀腔内的压强的调压组件。还包括控制单元，控制单元用于控制调压组件调整刻蚀腔内的压强呈脉冲式变化。控制单元还用于在刻蚀腔内的压强为第一设定压强时，控制等离子体刻蚀组件刻蚀氧化物掩膜；在刻蚀腔内的压强为第二设定压强时，控制等离子体刻蚀组件停止刻蚀衬底上的氧化物掩膜。第一设定压强大于第二设定压强。使等离子体刻蚀组件呈高压刻蚀‑低压停止刻蚀‑高压刻蚀等间断脉冲式的刻蚀状态，实现对氧化物掩膜的去除，同时防止氧化物掩膜下方的较大的高宽比的硅槽结构倾斜或倒塌。
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公开(公告)号：CN114093943B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202010857806.8
申请日：2020-08-24
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/08 , H01L21/336
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体制造技术领域，以解决在去除位于沟道区之间、以及沟道区与半导体衬底之间的牺牲层的过程中，损伤到源/漏区，降低半导体器件性能的技术问题。所述半导体器件包括：半导体衬底、有源区、栅堆叠和侧墙。有源区位于半导体衬底上，有源区包括沟道区、以及位于沟道区两侧的源/漏区。至少位于沟道区的侧壁的栅堆叠，以及位于栅堆叠两侧的侧墙。其中，沿着远离沟道区中心的方向，源/漏区的材料与沟道区的材料之间的刻蚀选择比逐渐增大。本发明还提供了一种半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN113690219B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202010421260.1
申请日：2020-05-18
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L23/528 , H01L21/768 , H10B12/00 , H10B61/00 , H10B63/10
摘要： 本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以干法刻蚀的方式形式空气侧墙，确保形成空气侧墙时临近空气侧墙的侧壁或底部的相应接触结构不会产生电化学腐蚀现象，使得相应接触结构具有良好的导电性能，从而提升半导体器件的工作性能。所述半导体器件包括：基底、位线结构和侧墙结构。具有有源区的基底。位线结构形成在有源区上。侧墙结构形成在基底上。侧墙结构环绕在位线结构的侧壁。侧墙结构包括空气侧墙、以及围成空气侧墙的介质侧墙，介质侧墙位于空气侧墙顶部的部分所含有的材料为透气性材料。所述半导体器件的制作方法用于制作上述技术方案所提的半导体器件。本发明提供的半导体器件应用于电子设备中。
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公开(公告)号：CN114378088B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202011121210.8
申请日：2020-10-19
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种槽式清洗设备的排气装置。所述排气装置包括：排气罩和排气管道，排气罩环绕设置于槽式清洗设备的化学药液槽的四周外侧，被配置为可自由地上下移动，以便吸入化学药液槽产生的化学气体；排气管道与排气罩连接，被配置为将排气罩吸入的化学气体排出槽式清洗设备。本发明能够快速排出槽式清洗设备内残留的化学气体。
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公开(公告)号：CN117042439A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202210462362.7
申请日：2022-04-28
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本发明提供一种半导体器件的制备方法及半导体器件，包括：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源区；在有源区上方形成栅位线，栅位线上形成有氧化阻挡层；去除氧化阻挡层；在去除氧化阻挡层之后的栅位线侧壁上沉积间隔氧化物；如此，在前序工艺中，氧化阻挡层会受到损伤，因此将氧化阻挡层去除之后，再在栅位线侧壁上重新沉积一层新的间隔氧化物时，可以避免因损伤的氧化阻挡层厚度不均匀导致间隔氧化物厚度不均匀等缺陷，进而提高氧化物的均匀性，减少缺陷；由于去除氧化阻挡层去除之后，栅位线侧壁上氧化物的整体厚度会减薄，各栅位线之间的间隔会增大，后续在填充间隔沟槽时，填充能力及填充膜层的均匀性也能得到改善，提高器件的整体性能。
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公开(公告)号：CN117012705A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210463451.3
申请日：2022-04-28
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/532
摘要： 本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体器件中数据线的制作方法及装置，该方法包括：在衬底上形成第一氧化层；对所述第一氧化层进行刻蚀，以在所述第一氧化层中形成用于设置数据线的多个第一凹槽；在每个第一凹槽内侧壁形成隔离层；在所述隔离层所围绕形成的第二凹槽内形成金属线，作为数据线，通过先刻蚀出数据线所处位置的第一凹槽，再在该第一凹槽内壁形成隔离层，在隔离层围设的第二凹槽内形成金属线作为数据线，进而有效避免现有技术中在制作数据线时，先形成金属线，再进行外部隔离时，造成相邻数据线之间产生粘合或弯曲等不良现象的问题，并且本方法可以大幅减少工艺步骤，简化工艺。
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公开(公告)号：CN114975109A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110195142.8
申请日：2021-02-20
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/8242
摘要： 本发明提供一种高段差半导体器件平坦化方法，包括：在具有高段差的第一材料膜层上形成第二材料膜层，所述第二材料膜层至少覆盖所述第一膜层材料的凹陷区域；采用具有高选择比的刻蚀工艺对所述第一材料膜层的凸起区域和所述第二材料膜层进行刻蚀，以使所述第一材料膜层和第二材料膜层处于同一平面；采用平坦化工艺对所述第一材料膜层和第二材料膜层进行处理，以去除全部的第二材料膜层并使第一材料膜层平坦化。本发明提供的技术方案，能够通过形成第二材料膜层以及刻蚀过程，使半导体器件在平坦化处理前处于接近平面的状态，避免半导体器件在平坦化过程中出现碟陷缺陷。
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公开(公告)号：CN114952816A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110195145.1
申请日：2021-02-20
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： B25J9/16 , B25J13/08 , H01L21/677
摘要： 本发明提供一种晶圆加工移动控制装置及晶圆加工移动控制方法，其中，晶圆加工移动控制装置包括：控制服务模块、机械手、驱动组件、视觉检测模块和至少一加工仓；至少一加工仓用于对晶圆进行加工处理，至少一加工仓包括：目标加工仓；驱动组件用于驱动机械手移动；机械手用于带动晶圆移动至目标加工仓内，并在目标加工仓内完成晶圆的抓取和卸载；视觉检测模块用于获取机械手与目标加工仓的第一位置关系信息；控制服务模块用于根据第一位置关系信息，控制驱动组件的工作状态；控制服务模块还用于在晶圆进入目标加工仓内前，通过视觉检测模块对目标加工仓和机械手相对位置进行校准判断。本发明能够提高晶圆移动的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN114864280A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202110168051.5
申请日：2021-02-04
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
摘要： 本发明提供一种电容器电极、电容器及其制备方法，其中电容器电极包括：下电极；所述下电极包括多个阶段部，所述多个阶段部自下而上依次连接，所述多个阶段部的横截面尺寸自下而上逐个减小；其中，横截面尺寸最小的阶段部为所述下电极的一端。本发明能够提高电容器的存储容量。
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公开(公告)号：CN114823538A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202110114409.6
申请日：2021-01-27
申请人： 中国科学院微电子研究所 , 真芯(北京)半导体有限责任公司
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/3213
摘要： 本发明提供了一种半导体器件的制造方法，该制造方法包括：提供一基底；在基底中形成浅刻蚀沟槽图案，浅刻蚀沟槽图案包括多个浅刻蚀沟槽；在基底表面及浅刻蚀沟槽图案中形成字线材料层，字线材料层填满每个浅刻蚀沟槽；采用包含有磷酸‑乙酸‑硝酸的化学剂刻蚀字线材料层，以在浅刻蚀沟槽图案中形成字线图案，字线图案包含形成在每个浅刻蚀沟槽中的字线。通过采用包含有磷酸‑乙酸‑硝酸的化学剂刻蚀字线材料层，通过一步刻蚀工艺即可在浅刻蚀沟槽图案中形成字线图案，将现有技术中所需的三个工艺步骤，缩减为采用磷酸‑乙酸‑硝酸的化学剂湿法刻蚀字线材料层的一个工艺步骤，减少了不同工艺之间的搬运时间，缩短工艺时间，降低成本。
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