本发明公开一种用于III族氮化物高质量外延生长的二维材料缓冲层。所述二维材料缓冲层包括石墨烯、二硫化钼等。所述二维材料缓冲层的生长可以直接在高温难熔金属衬底上进行，也可以在预溅射催化层，如铜（Cu）、镍（Ni）等的金属衬底上进行。进一步地可以在二维材料层上生长AlN缓冲层以提高与氮化物外延的晶格匹配率。层间弱键合二维缓冲层的引入保留了金属衬底与氮化物外延的热匹配并提高衬底晶格匹配率，从而降低氮化物外延层中的应力，有利于改善生长于该缓冲层上III族氮化物材料的热失配和晶格失配问题，提高晶体质量和性能。另外金属衬底尺寸不受限制，可极大提高晶圆的利用率。