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公开(公告)号：CN117374183A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311585963.8
申请日：2023-11-27
申请人： 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
摘要： 本发明提出一种基于高温难熔金属衬底外延生长GaN进而制备LED的方法，在高温难熔金属衬底，AlN缓冲层和AlxGa1‑xN渐变层上所生长的外延结构包括依次层叠的N型GaN层，量子阱层，P型GaN层。该方案使用高温难熔金属作为衬底，且在衬底上层叠生长了一层AlN和AlxGa1‑xN作为缓冲层。相比于使用传统的衬底生长GaN层制备LED的方法，新衬底方案不仅容易获得更大的尺寸从而外延生长出尺寸更大的GaN层，而且金属衬底能够通过采用酸溶液进行湿法腐蚀，在不对外延生长的GaN层造成过多影响下便捷的去除，间接的提高了GaN的生长质量且能减少相关时间成本和经济成本。
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公开(公告)号：CN117512511A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311633735.3
申请日：2023-12-01
申请人： 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
摘要： 本发明公开了一种在难熔金属基底上生长AlN缓冲层的方法，常见的五种难熔金属有W、Mo、Nb、Ta、Re，这里以纯金属Mo为例。以金属Mo做基底，运用射频溅射技术，生长AlN缓冲层。此种方法具有以下优点：Mo具有优异的导电性、导热性和化学稳定性，做基底可使得制造的器件更加稳定可靠；成本低、易剥离、易清洗；射频溅射技术工艺简单，易操作等。旨在提供一种简单有效的方法，用于高质量的AlN缓冲层生长。
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公开(公告)号：CN117587511A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311598904.4
申请日：2023-11-28
申请人： 福州大学 , 福建阿石创新材料股份有限公司 , 常州苏晶电子材料有限公司 , 福建兆元光电有限公司
IPC分类号： C30B25/18 , C30B29/40 , C23C28/04 , C23C16/26 , C23C16/30 , C23C16/34 , C23C14/08 , C23C14/35 , C30B29/02 , C30B29/46 , C30B29/20 , C30B23/02
摘要： 本发明公开一种用于III族氮化物高质量外延生长的二维材料缓冲层。所述二维材料缓冲层包括石墨烯、二硫化钼等。所述二维材料缓冲层的生长可以直接在高温难熔金属衬底上进行，也可以在预溅射催化层，如铜（Cu）、镍（Ni）等的金属衬底上进行。进一步地可以在二维材料层上生长AlN缓冲层以提高与氮化物外延的晶格匹配率。层间弱键合二维缓冲层的引入保留了金属衬底与氮化物外延的热匹配并提高衬底晶格匹配率，从而降低氮化物外延层中的应力，有利于改善生长于该缓冲层上III族氮化物材料的热失配和晶格失配问题，提高晶体质量和性能。另外金属衬底尺寸不受限制，可极大提高晶圆的利用率。
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公开(公告)号：CN114141805B
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202111401746.X
申请日：2021-11-24
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
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公开(公告)号：CN116960235A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310326456.6
申请日：2023-03-30
申请人： 闽都创新实验室 , 福州大学 , 晋江市博感电子科技有限公司
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/683
摘要： 本发明涉及一种具备核壳结构的转移印章，包括软壳、硬核和基板层；所述软壳为耐高温高压力的粘弹性高分子材料层，包覆于具有高机械强度的硬核之外，构成转移头；所述转移头在基板层上构建结构阵列。本发明有效解决弹体性印章使用时刚性不足容易变形的问题。
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公开(公告)号：CN113675129B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号：CN113675129A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202110840302.X
申请日：2021-07-24
IPC分类号： H01L21/683 , H01L33/00
摘要： 本发明涉及一种粘附力可调控衬底及其在转移方面的应用，所述粘附力可调控衬底包括衬底和设于衬底上的粘附力可调控层，所述粘附力可调控层用于与Micro LED或Mini LED芯片粘合，所述衬底为可透过紫外光衬底，所述粘附力可调控层主要由与衬底有良好粘附性同时给包结物提供反应位点的聚合物层、包结物层和含有光响应分子的被包结物层组成。在转移Micro LED或Mini LED芯片过程中，用所述粘附力可调控衬底与Micro LED或Mini LED芯片粘合，实现对Micro LED或Mini LED芯片转移。该衬底可以调节Micro LED或Mini LED芯片转移过程中粘附载体对芯片的粘附力，进而提高转移良率和效率。
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公开(公告)号：CN114141916A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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公开(公告)号：CN114141805A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111401746.X
申请日：2021-11-24
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提出一种无侧壁损伤的nano‑LED阵列及其制作方法，通过图形化技术和电子束蒸发，在p型GaN层上制作纳米级的金属阵列,来激活其下方的p型GaN层，从而提高这些区域的载流子浓度，进而使nano‑LED正常发光。而没有金属覆盖的区域未被激活，载流子浓度很低，呈现高阻态，刚好可隔离nano‑LED器件，使每个nano‑LED可独立工作。本发明避免了通过刻蚀来隔离nano‑LED芯片所带来的侧壁损伤，增加了nano‑LED芯片的可利用面积，提高了nano‑LED的发光效率。这种通过选择性金属激活p型GaN来制作LED芯片的方法可拓展至nano尺寸，为实现超高分辨率的nano‑LED显示屏提供了一种有利途径。
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公开(公告)号：CN114141916B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN202111401694.6
申请日：2021-11-24
申请人： 福州大学
摘要： 本发明提出一种纳米尺寸LED芯片阵列及其制备方法，在衬底上依次外延生长N型氮化镓层、量子阱有源层以及P型氮化镓层；在P型氮化镓层上图案化制作金属对该区域P型氮化镓中的掺杂物与氢形成的络合物起一定的作用，使氢从中解吸，以激活该区域；利用离子注入在除金属激活区域以外的区域形成高阻值区域；在高阻值区域上覆盖二氧化硅；分别在金属激活的P型氮化镓区域和N型氮化镓形成P型电极和N型电极。本发明技术方案采用离子注入形成电气隔离可以有效避免传统ICP刻蚀中的侧壁损伤问题和后续金属爬坡易断裂问题，并利用金属激活进一步提高激活区域的光电性能。
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