本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，先在半导体衬底中形成埋入式电源轨，接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成器件结构，再接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成连接结构以及信号网络层，在所述半导体衬底的第一表面侧形成电力输送网络层。埋入式电源轨先于器件结构形成，从而可以避免形成埋入式电源轨的过程中对于器件结构的伤害。接着，通过连接结构、信号网络层以及电力输送网络层实现对器件结构信号和电源的传输，无需形成纳米硅通孔，相应的，可以避免纳米硅通孔的形成过程中对器件结构的伤害。由此，提高了所形成的具有埋入式电源轨的半导体结构的质量与可靠性。