公开(公告)号：CN117612998A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311591250.2

申请日：2023-11-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 叶子露 ,  胡胜 ,  盛备备 ,  朱鹏 ,  刘超

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，通过将信号网络层(Signal Network Layer)形成于第一基底、将电力输送网络层(Power Delivery Network，PDN)形成于第二基底，在不同基底上分开形成信号网络层与电力输送网络层，并通过第一引出结构和第二引出结构键合实现电力输送网络层提供电力、信号网络层提供信号，相对于现有技术，不需要在第一基底上形成纳米硅通孔(nTSV)将埋入式电源轨与电力输送网络层电连接，从而提高了具有埋入式电源轨的半导体结构的良率。

公开(公告)号：CN117612999A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311591267.8

申请日：2023-11-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 胡胜 ,  叶子露 ,  周俊 ,  孙鹏

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，先在半导体衬底中形成埋入式电源轨，接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成器件结构，再接着在所述半导体衬底的第二表面侧形成连接结构以及信号网络层，在所述半导体衬底的第一表面侧形成电力输送网络层。埋入式电源轨先于器件结构形成，从而可以避免形成埋入式电源轨的过程中对于器件结构的伤害。接着，通过连接结构、信号网络层以及电力输送网络层实现对器件结构信号和电源的传输，无需形成纳米硅通孔，相应的，可以避免纳米硅通孔的形成过程中对器件结构的伤害。由此，提高了所形成的具有埋入式电源轨的半导体结构的质量与可靠性。

公开(公告)号：CN117613034A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311599762.3

申请日：2023-11-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 叶子露 ,  胡胜 ,  盛备备 ,  朱鹏 ,  刘超

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，信号网络层自基底的第一表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接，以提供信号；电力输送网络层自基底的第二表面分别和器件结构和埋入式电源轨电连接，以提供电源，可以从所述器件结构的两侧以及所述埋入式电源轨的两侧分别接入信号和电源，从而降低了半导体结构的布线限制，提高了布线资源的利用。

公开(公告)号：CN117613000A

公开(公告)日：2024-02-27

申请号：CN202311595428.0

申请日：2023-11-24

申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司

发明人： 胡胜 ,  叶子露 ,  孙鹏 ,  周俊

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/48 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498

摘要： 本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底中形成第一隔离结构；在所述半导体衬底中形成器件结构；形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构贯穿所述第一隔离结构，所述第二接触结构和所述器件结构电连接；在所述半导体衬底的第一表面侧形成信号网络层，所述信号网络层和所述第一接触结构以及所述第二接触结构电连接；在所述半导体衬底中形成埋入式电源轨，所述埋入式电源轨和所述第一接触结构电连接；以及，在所述半导体衬底的第二表面侧形成电力输送网络层，所述电力输送网络层和所述埋入式电源轨电连接。