本发明提供了一种具有埋入式电源轨的半导体结构及其制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；在所述半导体衬底中形成第一隔离结构；在所述半导体衬底中形成器件结构；形成第一接触结构和第二接触结构，所述第一接触结构贯穿所述第一隔离结构，所述第二接触结构和所述器件结构电连接；在所述半导体衬底的第一表面侧形成信号网络层，所述信号网络层和所述第一接触结构以及所述第二接触结构电连接；在所述半导体衬底中形成埋入式电源轨，所述埋入式电源轨和所述第一接触结构电连接；以及，在所述半导体衬底的第二表面侧形成电力输送网络层，所述电力输送网络层和所述埋入式电源轨电连接。