本发明公开了一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置与生长方法，属于半导体材料制备领域。该装置包括晶体生长炉、石英安瓿瓶、石英坩埚、可控冷却装置和支撑容器；其中，晶体生长炉分为高温区和低温区；支撑容器上方放置有可控冷却装置、内部填充导热粉末；石英安瓿瓶与其内部的石英坩埚构成双层真空石英结构，并插入导热粉末中；支撑容器在旋转下降装置的带动下在晶体生长炉内上下移动并旋转。同时，本发明还基于该装置提供了碲锌镉单晶生长方法。本发明实现了无籽晶条件下晶体生长，有效避免了再次装料带来的污染；结晶时释放的结晶潜热能够被有效快速地释放，并且保证了熔体单晶生长的温场稳定性，获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。