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公开(公告)号：CN118371706A
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202410474822.7
申请日：2024-04-19
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： B22F1/0545 , B22F9/16
摘要： 本发明公开了一种低熔点纳米铋合金液滴的可控制备方法，属于纳米结构材料制备领域。属于纳米结构材料制备领域。本发明方法首先制备得到Si(111)‑7×7再构表面；然后在Si(111)‑7×7再构表面沉积20到40个单层(ML)Bi；再在室温下，以0.002～0.003ML/s的沉积速率将铟原子蒸镀到单晶Bi膜上，此时，In原子会通过毛细力扩散破坏单晶铋Bi膜，通过控制In与Bi的原子数之比，可以获得自组装近似球形的合金液滴结构，实现纳米铋合金液滴的可控制备。本发明易于实现，操作简单；同时采用Si晶片衬底，相对于化合物半导体衬底，本发明采用的Si衬底工艺兼容度更好，成本更低，更易获取。
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公开(公告)号：CN118291140A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410484553.2
申请日：2024-04-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于CdZnTeSe晶片的表面腐蚀剂，属于半导体器件加工技术领域。该腐蚀剂的配方为：3ml氢氟酸、2g重铬酸钾、0.25g硝酸银和10ml水；氢氟酸的体积分数为48.5％～49.5％。本发明在HHKA腐蚀液配方的基础上，将10ml体积分数为68～70％的浓硝酸替换为3ml体积分数为48.5％～49.5％的氢氟酸，在降低酸性强度的同时降低了腐蚀剂体系中N元素含量，达到减少晶片表面N元素组分含量的效果；同时，本发明通过降低腐蚀剂中酸的强度便于CdZnTeSe(110)面的腐蚀坑形貌基本均一的控制，减少腐蚀坑的差异程度，更易于观察。
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公开(公告)号：CN117890199A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202410078845.6
申请日：2024-01-19
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于弹性薄片微小样品应变状态性能测试的弯曲夹具，所述装置包括U型底座、水平位移与夹持转动部分。U型底座是整个装置的安装基准，用于固定和支撑其他零件，底部开孔以适应需要光路通过的测试场合。水平位移部分由手动或超微型步进电机驱动微型螺杆，进而推动挡板、导套及夹持转动部分产生位移，导套和导柱配合完成导向，且具有弹簧复位功能。夹持转动部分由夹持方块(定块)和夹持方块(动块)以及各自内置的偏心开槽圆柱构成，偏心开槽圆柱随样品的受力弯曲而发生转动，保证样品正确受力。本弯曲夹具可实现在不同温度条件下连续调节薄片样品的弯曲半径，体积紧凑、安装方便且便于维护，在不同测试设备之间的通用性强。
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公开(公告)号：CN118292114A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410484550.9
申请日：2024-04-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种CdZnTeSe晶片的退火装置，属于晶体热处理技术领域。该装置包括加热炉、升降装置、石英安瓿、石英塞、石英固定圆盘、四个内石英坩埚、两个石英棒，镉源；其中，加热炉内的中部温区设置为梯度温度，石英安瓿通过升降装置在加热炉内上下移动，内石英坩埚通过石英固定圆盘和石英棒固定于石英安瓿内不同高度。本发明将晶片置于温度梯度区间内的不同位置处，结合镉源挥发的饱和蒸汽，进而实现各晶片在不同温度处的同时退火功能；退火后通过检测晶片，得到一定温度范围内最优的晶片退火温度，并将该温度用于后续同一晶锭中剩余晶片的退火处理，以保证该批次剩余晶片退火后的良率和性能。
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公开(公告)号：CN117987914A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410172948.9
申请日：2024-02-07
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种择优取向硒碲固溶体纳米晶薄膜的平坦化制备方法，属于光电材料制备技术领域。所述硒碲固溶体纳米晶薄膜晶粒择优取向为(100)与(110)，晶粒尺寸为20～40nm，薄膜厚度为30～720nm，表面均方根粗糙度低于2nm。制备方法包括如下步骤：对云母衬底进行常规生长前处理；采用分子束外延方法在云母衬底上低温生长硒碲固溶体薄膜；每生长30nm厚度的薄膜进行一次原位快速退火，退火温度130℃，每次退火2分钟，薄膜生长与退火交替进行直至达到目标厚度即得。本发明制备的硒碲固溶体纳米晶薄膜具有精确的厚度和成分配比，纯度高且具有良好结晶质量与表面平整度，达到满足光电阵列器件制备要求的技术效果。
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公开(公告)号：CN117626440A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311592730.0
申请日：2023-11-27
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种碲锌镉单晶结晶潜热释放装置与生长方法，属于半导体材料制备领域。该装置包括晶体生长炉、石英安瓿瓶、石英坩埚、可控冷却装置和支撑容器；其中，晶体生长炉分为高温区和低温区；支撑容器上方放置有可控冷却装置、内部填充导热粉末；石英安瓿瓶与其内部的石英坩埚构成双层真空石英结构，并插入导热粉末中；支撑容器在旋转下降装置的带动下在晶体生长炉内上下移动并旋转。同时，本发明还基于该装置提供了碲锌镉单晶生长方法。本发明实现了无籽晶条件下晶体生长，有效避免了再次装料带来的污染；结晶时释放的结晶潜热能够被有效快速地释放，并且保证了熔体单晶生长的温场稳定性，获得的晶锭组分均匀、孪晶少、碲沉淀或夹杂少。
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