本发明实施例提供的一种氮化镓器件，包括：衬底层；位于所述衬底层之上的氮基半导体层；在所述氮基半导体层上形成的源电极、漏电极以及位于所述源电极和所述漏电极之间的栅结构，所述栅结构包括：钝化层；位于所述钝化层之上的浮栅，所述浮栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上并与所述氮基半导体层接触形成p‑n结二极管；位于所述浮栅之上的控制栅，所述控制栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上，所述控制栅通过栅介质层与所述浮栅和所述氮基半导体层隔离。