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公开(公告)号：CN117637832A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210960844.5
申请日：2022-08-11
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L27/07 , H01L21/335
摘要： 本发明实施例提供的一种氮化镓器件，包括：衬底层；位于所述衬底层之上的氮基半导体层；在所述氮基半导体层上形成的源电极、漏电极以及位于所述源电极和所述漏电极之间的栅结构，所述栅结构包括：钝化层；位于所述钝化层之上的浮栅，所述浮栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上并与所述氮基半导体层接触形成p‑n结二极管；位于所述浮栅之上的控制栅，所述控制栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上，所述控制栅通过栅介质层与所述浮栅和所述氮基半导体层隔离。
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公开(公告)号：CN116827322A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210279749.9
申请日：2022-03-21
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687
摘要： 本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种半导体功率器件，包括硅基功率MOSFET和反向二极管；所述硅基功率MOSFET包括源极、漏极、栅极、体二极管和截止二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述截止二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述截止二极管的阴极与所述源极连接；所述硅基功率MOSFET的源极与所述反向二极管的阳极连接，所述硅基功率MOSFET的漏极与所述反向二极管的阴极连接。本发明提供的半导体功率器件具有快速的反向恢复功能。
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公开(公告)号：CN115966590A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111170049.8
申请日：2021-10-08
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极结构，所述栅极结构包括栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅介质层和栅极，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；介于所述两个栅极结构之间的导电层，所述导电层与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。本发明能够提高半导体功率器件的反向恢复速度，并降低半导体功率器件反偏时的漏电流。
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公开(公告)号：CN111316445B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201980005569.8
申请日：2019-01-30
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739
摘要： 一种IGBT功率器件，包括：p型集电极区；位于所述p型集电极区之上的n型漂移区；多个第一沟槽，每个所述第一沟槽的下方均设有一个第二沟槽；位于所述第一沟槽和所述第二沟槽中的栅极结构；位于相邻的两个所述第一沟槽之间的p型体区；位于所述p型体区内的n型发射极区；位于相邻的两个所述第二沟槽之间的n型的空穴电荷阻挡区。
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公开(公告)号：CN114975575A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110191691.8
申请日：2021-02-19
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。本发明可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。
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公开(公告)号：CN113629128B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010373740.5
申请日：2020-05-06
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/808
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型外延层；位于所述n型外延层内且远离所述n型漏区一侧的至少两个栅区；位于所述n型外延层内且位于相邻的所述栅区之间的n型源区；位于所述n型外延层内且介于所述栅区和所述n型漏区之间的多个p型柱。本发明的半导体器件在提高击穿电压的同时还可以降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN113628969B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010372375.6
申请日：2020-05-06
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：先在第一沟槽的栅极区域内形成栅极，再以覆盖栅极侧壁的绝缘侧墙和硬掩膜层为掩膜刻蚀n型外延层，在n型外延层内形成第二沟槽，然后在第一沟槽和第二沟槽内形成p型柱。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱时只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。
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公开(公告)号：CN112864234B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201911183421.1
申请日：2019-11-27
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/739 , H01L27/06
摘要： 本发明实施例提供的一种IGBT功率器件，包括位于两个p型体区和两个所述p型体区之间的n型漂移区之上的栅介质层，位于所述栅介质层之上的n型浮栅；位于所述栅介质层和所述n型浮栅之上的栅极，且在横向上所述栅极覆盖所述n型浮栅的两侧侧壁；介于所述栅极与所述n型浮栅之间的绝缘介质层；位于所述栅介质层中的第一开口，所述n型浮栅通过所述第一开口与其中一个所述p型体区接触形成p‑n结二极管；位于所述栅介质层中的第二开口，所述n型浮栅通过所述第二开口与另一个所述p型体区接触形成p‑n结二极管。本发明能够提高IGBT功率器件的反向恢复速度。
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公开(公告)号：CN112864222B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201911184108.X
申请日：2019-11-27
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括位于n型漂移区顶部的至少一个p型体区，位于所述p型体区内的第一n型源区和第二n型源区；用于控制所述第一n型源区与所述n型漂移区之间的第一电流沟道的开启和关断的第一栅极结构；用于控制所述第二n型源区与所述n型漂移区之间的第二电流沟道的开启和关断的第二栅极结构，所述第二栅极结构凹陷在所述n型漂移区内。本发明实施例的半导体功率器件芯片尺寸小且具有快的反向恢复速度。
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公开(公告)号：CN112802888A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201911030369.6
申请日：2019-10-28
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 本发明实施例提供的一种半导体功率器件终端结构，包括：n型外延层以及位于所述n型外延层中的：至少一个沟槽，所述沟槽包括沟槽上部和沟槽下部两部分；位于所述沟槽上部中的第一电极以及至少位于所述沟槽下部中的第二电极，所述第二电极、所述第一电极、所述n型外延层两两之间由绝缘介质层隔离；与所述沟槽相邻的第一p型掺杂区。本发明实施例提高了半导体功率器件的耐压能力和稳定性。
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