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公开(公告)号：CN118866946A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410911946.7
申请日：2024-07-09
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种IGBT器件，包括：n型半导体层；位于所述n型半导体层底部的p型集电极区；位于所述p型集电极区上方的n型漂移区；多个位于所述n型漂移区的沟槽，每个所述沟槽上部宽度大于沟槽下部宽度；位于相邻所述沟槽之间的p型体区；位于所述p型体区内的n型发射极区、位于所述沟槽上部两侧的栅极以及栅介质层；位于所述栅极之间的上屏蔽栅，位于所述沟槽下部的下屏蔽栅，以及位于所述沟槽内且位于所述上屏蔽栅与所述下屏蔽栅之间的场氧化层；通过控制与栅电极电性连接的上屏蔽栅的数量，可以方便的调节栅极电容的大小，进而调节IGBT器件的开关速度。
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公开(公告)号：CN117637832A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210960844.5
申请日：2022-08-11
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L27/07 , H01L21/335
摘要： 本发明实施例提供的一种氮化镓器件，包括：衬底层；位于所述衬底层之上的氮基半导体层；在所述氮基半导体层上形成的源电极、漏电极以及位于所述源电极和所述漏电极之间的栅结构，所述栅结构包括：钝化层；位于所述钝化层之上的浮栅，所述浮栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上并与所述氮基半导体层接触形成p‑n结二极管；位于所述浮栅之上的控制栅，所述控制栅向所述源电极的一侧延伸至所述氮基半导体层之上，所述控制栅通过栅介质层与所述浮栅和所述氮基半导体层隔离。
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公开(公告)号：CN116827322A
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202210279749.9
申请日：2022-03-21
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H03K17/041 , H03K17/687
摘要： 本发明属于半导体功率器件技术领域，提供了一种半导体功率器件，包括硅基功率MOSFET和反向二极管；所述硅基功率MOSFET包括源极、漏极、栅极、体二极管和截止二极管，所述体二极管的阴极与所述漏极连接，所述截止二极管的阳极与所述体二极管的阳极连接，所述截止二极管的阴极与所述源极连接；所述硅基功率MOSFET的源极与所述反向二极管的阳极连接，所述硅基功率MOSFET的漏极与所述反向二极管的阴极连接。本发明提供的半导体功率器件具有快速的反向恢复功能。
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公开(公告)号：CN115966590A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202111170049.8
申请日：2021-10-08
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供的一种半导体功率器件，包括：n型漏区以及位于所述n型漏区之上的n型漂移区；若干个p型柱，所述p型柱与相邻的所述n型漂移区形成pn结结构；所述p型柱顶部设有第一p型体区，所述第一p型体区内设有第一n型源区；介于相邻两个所述第一p型体区之间的两个栅极结构，所述栅极结构包括栅沟槽以及位于所述栅沟槽内的栅介质层和栅极，所述栅沟槽内设有栅介质层和栅极；介于所述两个栅极结构之间的导电层，所述导电层与所述n型漂移区接触形成肖特基二极管。本发明能够提高半导体功率器件的反向恢复速度，并降低半导体功率器件反偏时的漏电流。
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公开(公告)号：CN111316445B
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN201980005569.8
申请日：2019-01-30
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739
摘要： 一种IGBT功率器件，包括：p型集电极区；位于所述p型集电极区之上的n型漂移区；多个第一沟槽，每个所述第一沟槽的下方均设有一个第二沟槽；位于所述第一沟槽和所述第二沟槽中的栅极结构；位于相邻的两个所述第一沟槽之间的p型体区；位于所述p型体区内的n型发射极区；位于相邻的两个所述第二沟槽之间的n型的空穴电荷阻挡区。
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公开(公告)号：CN114975576A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110191872.0
申请日：2021-02-19
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体功率器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。本发明可以改善半导体功率器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。
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公开(公告)号：CN114975575A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110191691.8
申请日：2021-02-19
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体器件，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底内的p型体区，所述p型体区与源极金属层接触；位于所述半导体衬底内且位于所述p型体区下方的p型柱；所述半导体衬底包括至少一个第一区域，所述第一区域外的区域为第二区域；所述第一区域内的所述p型体区内设有第一p型体区接触区，所述源极金属层与所述第一p型体区接触区接触并形成欧姆接触；所述第二区域内的所述p型体区与所述源极金属层未形成欧姆接触。本发明可以改善半导体器件在应用时产生的电压震荡、电流震荡和EMI问题。
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公开(公告)号：CN113629128B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN202010373740.5
申请日：2020-05-06
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/808
摘要： 本发明属于半导体器件技术领域，具体公开了一种半导体器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型外延层；位于所述n型外延层内且远离所述n型漏区一侧的至少两个栅区；位于所述n型外延层内且位于相邻的所述栅区之间的n型源区；位于所述n型外延层内且介于所述栅区和所述n型漏区之间的多个p型柱。本发明的半导体器件在提高击穿电压的同时还可以降低导通电阻。
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公开(公告)号：CN113628969B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010372375.6
申请日：2020-05-06
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：先在第一沟槽的栅极区域内形成栅极，再以覆盖栅极侧壁的绝缘侧墙和硬掩膜层为掩膜刻蚀n型外延层，在n型外延层内形成第二沟槽，然后在第一沟槽和第二沟槽内形成p型柱。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱时只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。
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公开(公告)号：CN113628968B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010372056.5
申请日：2020-05-06
申请人： 苏州东微半导体股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本发明属于半导体超结器件技术领域，具体公开了一种半导体超结器件的制造方法，包括：先通过外延工艺形成p型柱，然后再自对准的形成栅极。本发明的半导体超结器件的制造方法，形成栅极和p型柱时只需要进行一次光刻工艺，可以极大的降低半导体超结器件的制造成本，并降低半导体超结器件的制造风险。
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