发明公开
- 专利标题： 一种异质结电池及其制备方法
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申请号： CN202210987600.6申请日： 2022-08-17
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公开(公告)号： CN117637923A公开(公告)日： 2024-03-01
- 发明人: 陈曦 , 张达奇 , 吴坚 , 蒋方丹
- 申请人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
- 申请人地址： 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
- 专利权人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
- 当前专利权人： 嘉兴阿特斯技术研究院有限公司,苏州阿特斯阳光电力科技有限公司
- 当前专利权人地址： 314000 浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
- 代理机构： 北京品源专利代理有限公司
- 代理商 赵颖
- 主分类号： H01L31/20
- IPC分类号： H01L31/20 ; H01L21/02 ; H01L31/0376 ; H01L31/077
摘要：
本发明提供一种异质结电池及其制备方法。所述制备方法包括在硅基体一侧依次制备本征非晶硅层、N型掺杂非晶硅层和TCO层，在硅基体另一侧依次制备本征非晶硅层、P型掺杂非晶硅层和TCO层。本发明中通过对N型掺杂非晶硅层和/或P型掺杂非晶硅层进行等离子体处理，提高了异质结电池的开路电压、填充因子和光电转换效率，降低了异质结电池的接触电阻，制备得到了性能优异的异质结电池。