发明公开
CN117641899A 半导体器件
审中-公开
摘要：
半导体器件可包括在基底上的位线、在位线之上并与位线间隔开的栅电极、在栅电极的侧壁上的栅极绝缘图案、在栅极绝缘图案的侧壁上并包括氧化物半导体材料的沟道、接触沟道的上表面并包括非晶氧化物半导体材料的导电图案、和接触导电图案的上表面的接触插塞。接触插塞可包括金属。非晶氧化物半导体材料可掺杂有氟(F)、氯(Cl)、氮(N)、氢(H)或氩(Ar)。
