公开(公告)号：CN118368887A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202311225843.7

申请日：2023-09-21

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 宋映槿 ,  严祥训 ,  李镕珍 ,  赵珉熙

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 半导体器件包括在衬底上沿第一方向延伸的位线。第一绝缘图案设置在位线上。沟道图案设置在位线的上侧和第一绝缘图案的横向侧。沟道图案包括氧化物半导体材料。栅极绝缘图案设置在沟道图案上。字线设置在栅极绝缘图案上。第二绝缘图案设置在字线上。着接焊盘设置在沟道图案上。层间绝缘层设置在位线和沟道图案之间。

公开(公告)号：CN118338671A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202311156239.3

申请日：2023-09-08

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 严祥训

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 一种半导体装置，包括：在衬底上的位线；在位线上的栅电极；在栅电极的侧壁上的栅极绝缘图案；接触位线的上表面和栅极绝缘图案的侧壁的沟道；接触沟道的上侧壁的氧化物半导体图案；以及接触沟道的上表面和氧化物半导体图案的上表面的接触插塞。沟道包括非晶氧化物半导体材料。氧化物半导体图案包括结晶氧化物半导体材料。

公开(公告)号：CN118400998A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410110483.4

申请日：2024-01-25

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李炅奂 ,  严祥训 ,  赵珉熙 ,  河大元

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：有源图案，具有在竖直方向上延伸的垂直有源部分和从垂直有源部分的上部区域弯曲的第一弯曲部分；栅电极，与有源图案间隔开，其中，栅电极的至少一部分面向垂直有源部分；蚀刻停止层，蚀刻停止层的至少一部分设置在栅电极的上表面与第一弯曲部分之间；介电层，介电层的至少一部分设置在有源图案与栅电极之间；以及接触插塞，设置在蚀刻停止层上并且至少穿透第一弯曲部分。

公开(公告)号：CN111029364A

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201910535319.7

申请日：2019-06-20

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 严祥训 ,  尹琪重 ,  全宅洙

IPC分类号： H01L27/30 ,  H01L51/42 ,  H01L51/44 ,  H01L51/48

摘要： 一种半导体图像传感器包括基板和在基板上具有沟槽的隔离绝缘图案。下透明电极提供在沟槽内。该下透明电极包括第一层和在第一层上的不同的第二层。有机光电层提供在下透明电极上，上透明电极提供在有机光电层上。第一层可以接触沟槽的底部和侧表面，并且可以在其中具有接缝，该接缝由第二层的一部分至少部分地填充。第一层可以相对于第二层具有更高的透光效率，并且相对于第二层具有更低的电阻。

公开(公告)号：CN107768388A

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201710700946.2

申请日：2017-08-16

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 白寅圭 ,  严祥训 ,  李泰渊 ,  许在成

IPC分类号： H01L27/146

CPC分类号： H01L27/1463 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14689 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14683

摘要： 一种配置为提供提高的可靠性的图像传感器可以包括含多种不同元素的电荷钝化层，不同元素的每种元素为金属元素或准金属元素。不同元素可以包括周期表元素的第一族的第一元素以及周期表元素的第二不同的族的第二元素。电荷钝化层可以包括非晶晶体结构。

公开(公告)号：CN118475112A

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202311113569.4

申请日：2023-08-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 严祥训 ,  赵珉熙

IPC分类号： H10B12/00 ,  H10B63/00

摘要： 提供了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上方的位线；位于所述位线上的沟道图案，在垂直于所述位线的上表面的方向上延伸；字线，与所述位线相交并且与所述沟道图案间隔开；栅极绝缘图案，位于所述沟道图案和所述字线之间；位于所述字线上的绝缘图案；以及连接到所述沟道图案的着陆焊盘。所述沟道图案包括顺序地堆叠的第一沟道图案、第二沟道图案和第三沟道图案，所述第一沟道图案连接到所述位线，所述第二沟道图案位于所述第一沟道图案和所述第三沟道图案之间，所述第三沟道图案连接到所述着陆焊盘，所述第一沟道图案和所述第三沟道图案包括结晶氧化物半导体材料，并且所述第二沟道图案包括非晶氧化物半导体材料。

公开(公告)号：CN111477643B

公开(公告)日：2024-08-09

申请号：CN202010000398.4

申请日：2020-01-02

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 全宅洙 ,  金起园 ,  严祥训 ,  尹琪重 ,  林夏珍

IPC分类号： H01L27/146 ,  H04N25/70 ,  H04N25/75 ,  H10K39/32

摘要： 提供了一种具有改善的性能和更高集成度的图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，所述衬底包括彼此相对的第一表面和第二表面；第一有机光电转换层，所述第一有机光电转换层位于所述衬底的所述第一表面上；第一穿透通路，所述第一穿透通路连接到所述第一有机光电转换层，并且延伸穿过所述衬底；第一浮置扩散区域，所述第一浮置扩散区域位于所述衬底中并且与所述衬底的所述第二表面相邻；以及第一晶体管结构，所述第一晶体管结构位于所述衬底的所述第二表面上，其中，所述第一晶体管结构包括：被配置为连接所述第一穿透通路和所述第一浮置扩散区域的半导体层、位于所述半导体层上的栅电极、以及位于所述半导体层与所述栅电极之间的栅极介电膜。

公开(公告)号：CN117641899A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311065598.8

申请日：2023-08-23

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 黄恩锡 ,  严祥训 ,  赵珉熙

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 半导体器件可包括在基底上的位线、在位线之上并与位线间隔开的栅电极、在栅电极的侧壁上的栅极绝缘图案、在栅极绝缘图案的侧壁上并包括氧化物半导体材料的沟道、接触沟道的上表面并包括非晶氧化物半导体材料的导电图案、和接触导电图案的上表面的接触插塞。接触插塞可包括金属。非晶氧化物半导体材料可掺杂有氟(F)、氯(Cl)、氮(N)、氢(H)或氩(Ar)。

公开(公告)号：CN117440684A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202310872510.7

申请日：2023-07-14

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 严祥训 ,  赵珉熙

IPC分类号： H10B12/00 ,  H01L23/528 ,  H01L29/04

摘要： 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的位线、栅电极、栅极绝缘图案和沟道结构。每条位线在第一方向上延伸，并且位线可以在第二方向上彼此间隔开。栅电极在第一方向上彼此间隔开，并且每个栅电极在第二方向上延伸。对于每个栅电极，栅极绝缘图案形成在栅电极的在第一方向上的侧壁上，并且沟道结构形成在栅极绝缘图案的在第一方向上的侧壁上。沟道结构包括第一非晶沟道和第一结晶沟道，第一非晶沟道包括非晶氧化物半导体，第一结晶沟道包括结晶氧化物半导体并接触第一非晶沟道的上表面。

公开(公告)号：CN118524702A

公开(公告)日：2024-08-20

申请号：CN202311163212.7

申请日：2023-09-11

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 严祥训 ,  赵珉熙 ,  李元锡 ,  郑宇齐

IPC分类号： H10B12/00

摘要： 提供了一种半导体器件及制造半导体器件的方法。所述半导体器件可以包括位于衬底上的位线、位于位线上并且在垂直于位线的方向上延伸的沟道图案、与位线相交并且与沟道图案间隔开的字线、位于沟道图案与字线之间的栅极绝缘图案、位于字线上的绝缘图案，以及连接到沟道图案的着陆焊盘。栅极绝缘图案可以包括分别具有第一介电常数和第二介电常数的第一栅极绝缘图案和第二栅极绝缘图案。第二栅极绝缘图案可以位于第一栅极绝缘图案与字线之间。第一介电常数和第二介电常数可以不同。第一栅极绝缘图案的第一宽度可以不同于第二栅极绝缘图案的第二宽度。