发明公开
- 专利标题： 一种MMC-BESS的功率器件功率损耗计算方法
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申请号： CN202311621769.0申请日： 2023-11-28
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公开(公告)号： CN117688737A公开(公告)日： 2024-03-12
- 发明人: 李智诚 , 高统彤 , 凌志斌 , 张伟骏 , 邓超平 , 陈大玮 , 张抒凌 , 韩雪 , 郭威 , 郭健生 , 李彪 , 陈雨鸽
- 申请人： 国网福建省电力有限公司 , 国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 申请人地址： 福建省福州市鼓楼区五四路257号;
- 专利权人： 国网福建省电力有限公司,国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人： 国网福建省电力有限公司,国网福建省电力有限公司电力科学研究院
- 当前专利权人地址： 福建省福州市鼓楼区五四路257号;
- 代理机构： 福州科扬专利事务所
- 代理商 何小星
- 主分类号： G06F30/20
- IPC分类号： G06F30/20 ; H02J7/00 ; G06F119/06 ; G06F113/08 ; G06F111/04 ; G06F111/18 ; G06F113/04 ; G06F119/02
摘要：
本发明涉及一种MMC‑BESS的功率器件功率损耗计算方法，在考虑到拓扑内部电池子模块功率器件的约束对VSG控制下MMC‑BESS虚拟惯量和功率器件的关系进行了研究，推导了不同等效虚拟惯量下MOSFET和IGBT暂态过程的附加损耗，当虚拟惯量可以满额利用时MOSFET功耗增量更大，当虚拟惯量不能满额利用时其功耗增量取决于自身参数，可以对功率器件选型和控制参数设计做出指导。
