本发明提供一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述升温的目标温度为250‑420℃；所述PECVD沉积的压力为1000‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法克服了传统LPCVD沉积存在的诸多问题，缩短了耗时及制程，降低了能耗，提升了转换效率，有利于大规模推广应用。