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公开(公告)号：CN117721439A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311789206.2
申请日：2023-12-22
申请人： 浙江晶盛机电股份有限公司 , 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/24 , C23C16/515 , C23C16/52 , C23C16/02 , C23C16/56
摘要： 本发明提供一种基于乙硼烷气体进行PECVD沉积P‑poly硅的方法及硅片与装置系统，所述方法包括依次进行的硅片预处理、送样、升温、抽真空、PECVD沉积和热退火处理；其中，所述升温的目标温度为250‑420℃；所述PECVD沉积的压力为1000‑3000mTorr，工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar。本发明提供的方法克服了传统LPCVD沉积存在的诸多问题，缩短了耗时及制程，降低了能耗，提升了转换效率，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN117821933A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211196990.1
申请日：2022-09-29
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/505 , C23C16/40 , H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
摘要： 本发明涉及一种晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺；该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺主要包括采用等离子体增强化学气相沉积方法沉积第一氮化硅膜和第二氮化硅膜，沉积时采用的气体包括硅烷、氨气以及氮气；其中，在沉积第一氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为3‑6，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为800sccm‑4000sccm；在沉积第二氮化硅膜的步骤中，氨气与硅烷的体积流量之比为5‑12，氮气的体积流量与氨气和硅烷的体积流量之和的比值大于或等于1，硅烷的体积流量为500sccm‑3000sccm。该晶硅太阳能电池PECVD镀膜工艺能够提高同一炉管中沉积得到的减反射膜的品质，且一致性更好，使晶硅电池具有优异的光电转换效率。
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公开(公告)号：CN117987811A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202410165329.7
申请日：2024-02-05
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： C23C16/511 , C23C16/24 , C23C16/56 , C23C16/455
摘要： 本发明提供一种P‑poly硅的沉积方法与硅片及其应用，所述沉积方法包括顺次进行的PECVD沉积和退火处理；所述PECVD沉积采用的工艺气体包括SiH4和B2H6，稀释气体包括H2和/或Ar，且在沉积过程中伴随着B2H6的气体补偿。本发明通过在PECVD沉积过程中伴随着B2H6的气体补偿，提升了沉积均匀性，避免了高频现象，同时降低了沉积温度，缩短了工艺时间，提升了产能利用率和电池的转换效率，有利于大规模推广应用。
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公开(公告)号：CN116995138A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310989578.3
申请日：2023-08-07
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216 , H01L31/06
摘要： 本发明涉及太阳能光伏电池技术本领域且公开了一种遂穿氧化层的制备方法、TOPCon电池硅片和TOPCon电池，所述遂穿氧化层的制备方法包括以下步骤：S1、对硅片的背面进行清洗抛光处理；S2、将清洗抛光后的所述硅片放置在工艺腔室内，所述工艺腔室升温至第一预设温度，向所述工艺腔室内通入具有刻蚀作用的第一气体，利用所述第一气体对所述硅片背面的自然氧化层进行刻蚀处理；S3、在所述硅片的背面沉积遂穿氧化层。本发明实施例的遂穿氧化层的制备方法制备的遂穿氧化层具有均匀性好的优点。
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公开(公告)号：CN117012853A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310954986.5
申请日：2023-07-31
申请人： 浙江晶盛光子科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种硅片背抛后的清洗方法和TOPcon电池及其制备方法，属于TOPcon电池技术领域。所述硅片背抛后的清洗方法包括以下步骤：提供背抛后的硅片；用氢氟酸溶液对所述硅片进行酸洗处理，去除所述硅片背面的自然氧化层。通过所述硅片背抛后的清洗方法，可以去除硅片背面的自然氧化层，方便后续在隧穿氧化层沉积工序中均匀地控制隧穿氧化层的厚度，进而可有效地避免直接生长的隧穿氧化层偏厚或均匀性较差的问题，从而提高电池的转换效率。
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