半导体装置

发明公开

CN117727803A 半导体装置审中-实审

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专利标题： 半导体装置
申请号： CN202211100417.6

申请日： 2022-09-09
公开(公告)号： CN117727803A

公开(公告)日： 2024-03-19
发明人: 罗宗仁 , 杨晓莹 , 刘兴潮 , 陈庆钟
申请人： 世界先进积体电路股份有限公司
申请人地址： 中国台湾新竹科学园区
专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
当前专利权人： 世界先进积体电路股份有限公司
当前专利权人地址： 中国台湾新竹科学园区
代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
代理商 郝博; 薛平
主分类号： H01L29/872
IPC分类号： H01L29/872 ; H01L29/06

半导体装置

摘要：

本发明实施例提供半导体装置。半导体装置包括半导体基板、第一深阱、至少两个第二阱、多个隔离结构以及注入区。第一深阱设置于半导体基板中，其中第一深阱具有第一导电类型。至少两个第二阱设置于第一深阱上，其中第二阱具有第二导电类型。多个隔离结构覆盖部分第一深阱，且围绕至少部分第二阱。注入区位于半导体基板顶面，其中注入区具有不连续部分，不连续部分与第一深阱部分重叠。

信息查询

中国专利公布公告 Global Dossier Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/86	..只能通过对一个或多个通有待整流，放大、振荡或切换的电流的电极供给电流的变化或施加电位的变化方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/861	...二极管
H01L29/872	....肖特基二极管