本公开涉及用于对体硅装置进行抛光的方法。公开了用于对体硅进行抛光的方法。在一个方面，当机械抛光头在表面上操作时，通过在硅反应性浆料与去离子水之间循环交替来促进机械抛光。在示例性方面，所述抛光头对体硅载体晶片进行抛光以暴露射频(RF)互补金属氧化物半导体(CMOS)开关的背面，但其它半导体也可以受益于本公开的示例性方面。当存在硅浆料时，所述体硅与所述浆料之间发生反应，使得所述抛光头去除所述体硅。所述去离子水会中断这种反应，并有助于防止过度抛光，否则可能会损坏装置。