本发明的实施方式的半导体装置具备：第1配线(51)，设置于第1层(L1)，于第1方向延伸；第2配线(52)，设置在位于第1层的上层侧的第2层(L2)，于第1方向延伸；第1半导体层(31a)，不贯通第2配线，贯通第1配线并于与第1方向交叉的第2方向延伸；第2半导体层(31b)，不贯通第1配线，贯通第2配线并于第2方向延伸；第1绝缘层(32a)，设置于第1配线与第1半导体层之间；第2绝缘层(32b)，设置于第2配线与第2半导体层之间；第1电容器(40a)，电连接于第1半导体层的第1端部；及第2电容器(40b)，电连接于第2半导体层的第1端部。