发明公开
- 专利标题： 一种CsPbI3薄膜的制备方法
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申请号： CN202311808347.4申请日： 2023-12-26
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公开(公告)号： CN117756169A公开(公告)日： 2024-03-26
- 发明人: 王兴涛 , 赵志国 , 赵东明 , 秦校军 , 蔺子甄
- 申请人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
- 申请人地址： 北京市昌平区北七家未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼
- 专利权人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
- 当前专利权人： 中国华能集团清洁能源技术研究院有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区北七家未来科技城华能人才创新创业基地实验楼A楼
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理商 艾柯
- 主分类号： C01G21/00
- IPC分类号： C01G21/00 ; H01L31/032
摘要：
本发明提供了甲基碘化铵在制备黑相CsPbI3薄膜中的应用。本发明还提供了一种CsPbI3薄膜的制备方法。本发明通过在钙钛矿前驱体中引入甲基碘化铵，结合真空辅助法，克服CsPbI3结晶快速无序的缺点，在低温下实现黑相CsPbI3薄膜的高质量制备。
IPC分类:
