发明公开
- 专利标题: 晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法
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申请号: CN202211127410.3申请日: 2022-09-16
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公开(公告)号: CN117758344A公开(公告)日: 2024-03-26
- 发明人: 史蒂文·贺·汪
- 申请人: 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
- 申请人地址: 上海市松江区思贤路3600号
- 专利权人: 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
- 当前专利权人: 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市松江区思贤路3600号
- 代理机构: 上海弼兴律师事务所
- 代理商 蔡烨平; 曾莺华
- 主分类号: C25D17/00
- IPC分类号: C25D17/00 ; C25D17/02 ; C25D21/12
摘要:
本发明公开了一种晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法,涉及晶圆电镀技术领域,一种晶圆缺口遮挡装置,其包括:转子环,所述转子环套设于晶圆的外部下方,转子环设置有多个南北极交错并沿晶圆的圆周位置均匀分布设置于晶圆径向方位的永磁体,所述转子环设置有能够位于晶圆的缺口正下方的遮挡部;电磁感应环,设置于转子环的外部,所述电磁感应环内设置有与所述永磁体对应的线圈组;位置传感器,所述位置传感器安装到工艺腔外缘和所述转子环遮挡部上。在本发明中,电磁感应环可以驱动转子环及遮挡部旋转,遮挡部可以遮挡晶圆的缺口处的电场边缘效应,减少了电场强度在晶圆的缺口附近过高的影响,提高了电镀的均匀性。