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公开(公告)号：CN118814244A
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202310431125.9
申请日：2023-04-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种电镀槽及电镀设备，其中，电镀槽包括电镀腔、用于密封电镀腔的腔体盖板、及控制单元；电镀腔内盛放有加热至第一预设温度的电镀液；腔体盖板上设置有温度检测器及加热网，控制单元与温度检测器和加热网连接；温度检测器用于实时检测腔体盖板内表面温度并反馈至控制单元，控制单元控制加热网加热，使得腔体盖板内表面温度达到并保持在第二预设温度，第二预设温度等于第一预设温度或二者温度差满足预设值。本发明通过巧妙的结构设计，使系统达到一种热平衡状态，防止或减少电镀过程中电镀液不断蒸发冷凝，避免了电镀液中原料组分的损失，也避免了蒸汽冷凝所带来的其他消极后果。
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公开(公告)号：CN117884404A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202211228692.6
申请日：2022-10-08
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种采用晶圆清洗设备的清洗方法，首先，通过喷淋组件射流的动能冲击晶圆表面，以将晶圆表面微细结构内残留的药液冲刷出来；其次，通过清洗液的不断溢流以及对晶圆表面及电镀夹具侧面进行持续冲洗，提高晶圆表面及电镀夹具侧面洁净度，且此阶段利用底进水口、底排水口和集液溢流槽实现清洗液的快进快出，由此使工艺腔体内的液体迅速达到PH中性，防止工艺腔体被污染；最后，通过侧进水组件对电镀夹具侧面进行冲洗，弥补了传统清洗工艺无法兼顾清洗电镀夹具侧面的缺点。通过上述步骤的结合，本发明克服了现有清洗工艺所存在的排水速度慢、清洗不完全且不彻底等缺陷，确保了晶圆表面洁净度，保障了半导体器件的性能。
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公开(公告)号：CN117758344A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202211127410.3
申请日：2022-09-16
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
发明人： 史蒂文·贺·汪
摘要： 本发明公开了一种晶圆缺口遮挡装置、电镀装置及提高晶圆电镀均匀性的方法，涉及晶圆电镀技术领域，一种晶圆缺口遮挡装置，其包括：转子环，所述转子环套设于晶圆的外部下方，转子环设置有多个南北极交错并沿晶圆的圆周位置均匀分布设置于晶圆径向方位的永磁体，所述转子环设置有能够位于晶圆的缺口正下方的遮挡部；电磁感应环，设置于转子环的外部，所述电磁感应环内设置有与所述永磁体对应的线圈组；位置传感器，所述位置传感器安装到工艺腔外缘和所述转子环遮挡部上。在本发明中，电磁感应环可以驱动转子环及遮挡部旋转，遮挡部可以遮挡晶圆的缺口处的电场边缘效应，减少了电场强度在晶圆的缺口附近过高的影响，提高了电镀的均匀性。
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公开(公告)号：CN116676650A
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN202210171107.7
申请日：2022-02-23
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
发明人： 史蒂文·贺·汪
IPC分类号： C25D7/12 , C25D17/06 , C25D21/10 , C25D21/04 , H01L21/687
摘要： 本发明提供了一种晶圆夹具及电镀设备，其中，晶圆夹具包括夹具本体和振动装置，夹具本体包括可相对旋转的动子组件和定子组件，动子组件可夹持晶圆，振动装置包括振动源，振动源安装于定子组件或动子组件。本发明中，夹具本体能够在振动源的驱动下带动晶圆振动，电镀时，晶圆置于电镀槽内盛放的电镀药液中，夹具本体和/或晶圆的振动将造成电镀药液流场的振动波，振动波经电镀槽的反射使得电镀药液在晶圆微孔(特别是深宽比达到12:1的TSV盲孔、超通孔)结构内部的由离子浓度扩散产生药液离子的质量传输得到改善和加强，从而使得微孔底部和侧壁的电镀层质量和电镀厚度均匀性得到改善和提高，由此实现电镀的均匀性和完好性。
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公开(公告)号：CN113948413A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202111178794.7
申请日：2021-10-11
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种单片旋转清洗设备实时自检方法、周期自检方法及单片旋转清洗设备，单片旋转清洗设备用于基片的清洗并能够进行实时自检和周期自检，包括机械夹具、旋转机构、光学图像传感器，所述旋转机构上有旋转载台，还包括分析机构，光学图像传感器可以观察基片在旋转过程中的边缘跳动情况，分析机构可以通过分析跳动值来确定设备是否产生故障。还包括标定基片，光学图像光感器可以观察标定基片旋转过程中的图像情况，分析机构可以通过分析所述图像来确定设备是否产生故障。该单片旋转清洗设备实时自检方法、周期自检方法，可以避免意外情况的发生，及时发现旋转机构产生的机械偏差，有利于提升单片旋转清洗工艺流程的安全性和稳定性。
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公开(公告)号：CN113897649A
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN202111146863.6
申请日：2021-09-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种结合TSV电镀前处理工艺方法，包括如下步骤：S10、碱性处理：将样片浸泡于碱性溶液中以去除表面油污，碱性处理完成后，水洗样片表面；S20、酸性处理：将样片浸泡于酸性溶液中以去除表面氧化层，酸性处理完成后，水洗样片表面。本发明中，碱性处理步骤能有效去除样片表面油污，且使样片表面与酸性电镀液间更加贴合；酸性处理步骤能有效去除样片表面氧化层，从而避免晶圆片电镀中由于氧化引起的电镀缺陷问题，减少晶圆片的报废，通过碱性处理步骤和酸性处理步骤的结合，保证样片种子层的导电性，有利于后续电镀工艺的顺利进行，特别是对于一些不能及时进行电镀工艺或存放时间较长的样片来说，极大提升了电镀产品的良率。
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公开(公告)号：CN113838784A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111229682.X
申请日：2021-10-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆处理设备、系统及晶圆处理的方法，用于晶圆的预润湿或腐蚀，包括第一箱体，用于通入晶圆处理液的容置腔，固定晶圆且可带动晶圆旋转的晶圆驱动盘，位于晶圆驱动盘上的驱动金属，位于第一箱体外部的驱动装置及电磁装置，驱动装置带动电磁装置转动，驱动金属在电磁感应的作用下随电磁装置转动，驱动金属带动晶圆驱动盘旋转。本发明利用电磁感应原理将驱动装置放在第一箱体外，实现对第一箱体内晶圆旋转的无源驱动，解决了驱动装置不能浸泡在晶圆处理液体中的问题。本发明的晶圆处理设备结构简单，可提高第一箱体的密封程度和抽真空效率，晶圆润湿或腐蚀时驱动晶圆旋转提高预润湿和腐蚀的均匀性，有利于提高晶圆处理的效率。
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公开(公告)号：CN113789562A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202111228741.1
申请日：2021-10-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆电镀预处理设备、系统及方法，其中，晶圆电镀预处理设备包括工艺槽体和角度倾斜系统；工艺槽体的内部具有用于盛放处理液的工艺腔，工艺腔内设有卡持晶圆的夹持部；角度倾斜系统与工艺槽体连接，角度倾斜系统能够驱动工艺槽体整体旋转。本发明提供的晶圆电镀预处理设备、系统及方法，操作简单，通过角度倾斜系统的设计，使得在预处理过程中，晶圆随工艺槽体一同倾斜及摆动，有利于孔洞中的空气被处理液置换并溢出，实现极好的预处理效果，同时，由于角度倾斜系统位于工艺槽体外部，这一方面大大提高了工艺槽体的密封性，另一方面，无须对驱动源即角度倾斜系统进行防水及耐腐蚀处理，大大提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN111146126A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN202010070438.2
申请日：2020-01-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
发明人： 史蒂文·贺·汪
摘要： 本发明公开了一种预润湿设备、预润湿系统及晶圆预润湿的预处理方法，预润湿设备用于晶圆的预润湿，包括第一箱体，所述第一箱体的内部具有容置腔，所述容置腔用于通入预润湿液体，所述预润湿设备还包括夹持部，所述夹持部设置在所述容置腔的内部，所述夹持部用于卡持所述晶圆的外圆面，以使所述晶圆浸没于所述预润湿液体中。本发明利用设置在容置腔内的夹持部卡住晶圆，再向容置腔内充入预润湿液体，从而将晶圆浸没在预润湿液体中，进而使得晶圆的两个侧面都能被预润湿液体浸润。本发明的预润湿设备结构简单，一次即可实现晶圆的两个侧面的润湿，有利于提高晶圆的预润湿的预处理的效率。
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公开(公告)号：CN118737875A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202310324045.3
申请日：2023-03-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明公开了一种清洗容器及包括其的制备装置、晶圆的制备方法。清洗容器顶端的开口用于供镀头带动待清洗件伸入至清洗容器内，镀头伸入至清洗容器的周侧呈锥台结构，锥台结构的最小端朝向清洗容器的一端设置；清洗容器靠近开口的壁面具有弹性；开口的开口尺寸小于锥台结构的最大端，开口的开口尺寸大于锥台结构的最小端。增大了清洗容器开口和镀头接触的贴合度，进而增强清洗容器内部的密封性，也增强了清洗容器开口可以适应不同截面尺寸大小的镀头。将晶圆放入至制备装置中，使得晶圆的清洗和电镀在一个密闭的容器内进行，避免从电镀到清洗的过程中和空气接触导致晶圆氧化。且避免了和空气接触，使得晶圆制备的质量得到了保证。
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