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公开(公告)号：CN113789562B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202111228741.1
申请日：2021-10-21
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆电镀预处理设备、系统及方法，其中，晶圆电镀预处理设备包括工艺槽体和角度倾斜系统；工艺槽体的内部具有用于盛放处理液的工艺腔，工艺腔内设有卡持晶圆的夹持部；角度倾斜系统与工艺槽体连接，角度倾斜系统能够驱动工艺槽体整体旋转。本发明提供的晶圆电镀预处理设备、系统及方法，操作简单，通过角度倾斜系统的设计，使得在预处理过程中，晶圆随工艺槽体一同倾斜及摆动，有利于孔洞中的空气被处理液置换并溢出，实现极好的预处理效果，同时，由于角度倾斜系统位于工艺槽体外部，这一方面大大提高了工艺槽体的密封性，另一方面，无须对驱动源即角度倾斜系统进行防水及耐腐蚀处理，大大提高了经济效益。
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公开(公告)号：CN118109891A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202211534246.8
申请日：2022-11-29
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明涉及电镀领域，公开了一种电镀设备及电镀方法。该电镀设备包括溢流槽和电镀槽，溢流槽的上部具有封闭溢流槽的盖体，避免空气从溢流槽的上部进入溢流槽内，电镀槽由第一环形件和第二环形件的内侧共同围绕形成，电镀槽具有进液口，电镀槽具有溢流口，溢流槽通过溢流口与电镀槽连通，溢流槽通过排液口进行排液，通过控制进液口的进液流量和排液口的排液流量，使得电镀槽内电镀液的液位能完全淹没溢流口并保持在预设高度，电镀液对溢流口形成液封，以减少或避免溢流口和溢流槽内部与空气的接触，就能减少或避免电镀槽内电镀液通过溢流口进行溢流时产生空气泡。
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公开(公告)号：CN114517329B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202210135631.9
申请日：2022-02-14
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D21/02 , C25D17/00 , H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明提供了一种晶圆冷却装置及电镀设备，其中，晶圆冷却装置包括冷却腔体、固态冷却机组及气体吹扫系统；固态冷却机组与冷却腔体的腔壁接触，冷却腔体的内部设置有多个晶圆放置架，冷却腔体和晶圆放置架均采用导热基板制成；气体吹扫系统包括若干个进气孔，若干个进气孔设置于冷却腔体的腔壁并面向晶圆放置架设置。本发明采用传导冷却和对流冷却相结合的方式，晶圆的冷却效率更高，相关工艺制程更快，且相较于单一的传导冷却方式，晶圆在降温过程中的表面温度更加均匀，从而还对保证晶圆的工艺良率有积极意义，并且，本发明支持多张晶圆的冷却加工，打破了晶圆冷却时间慢而对晶圆产能的限制。
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公开(公告)号：CN114775025B
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202210543373.8
申请日：2022-05-19
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种晶圆夹具及电镀装置，晶圆夹具包括密封件、底座、支撑件以及定位锁定组件；定位锁定组件包括定位件、安装件及锁定件，定位件与密封件连接，安装件设置于底座上，密封件通过定位件和安装件的配合实现与底座的可拆卸连接；支撑件设置于密封件和底座之间，锁定件设置于支撑件上，当锁定件处于锁定状态，锁定件抵压定位件并使定位件无法相对安装件活动；当锁定件处于解锁状态，定位件可相对安装件活动。本发明通过上述设计，当需要拆卸密封件时，仅须操作锁定件使之切换至解锁状态即可；而当需要安装新的密封件，首先利用定位件和安装件的配合实现密封件和底座之间的定位安装，再操作锁定件使之切换至锁定状态即可，操作非常便捷。
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公开(公告)号：CN114182333B
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202111605281.X
申请日：2021-12-24
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D17/08 , C25D17/02 , C25D7/12 , C25D5/48 , C25D5/34 , C25D21/10 , C23C18/31 , C23C18/18 , C23C18/16
摘要： 本发明提供了一种共享晶圆夹具的金属镀覆设备和方法，其中，共享晶圆夹具的金属镀覆设备包括移动机构、晶圆夹具以及多个工作槽；晶圆夹具用于可拆卸固定晶圆，移动机构连接晶圆夹具；工作槽包括工艺槽和镀槽，工艺槽和镀槽共享一个晶圆夹具，移动机构在各个工作槽之间转运该晶圆夹具。本发明提供的共享晶圆夹具的金属镀覆设备和方法，多个工作槽共享一个晶圆夹具，从而有效降低了设备对晶圆夹具数量的要求，极大的降低了设备成本；并且，晶圆夹具在移动机构的带动下在多个工作槽之间进行转运，避免了频繁上下片而导致的晶圆损毁、氧化、翘曲等诸多风险，极大的提高了工艺质量。
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公开(公告)号：CN113862746B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111319339.4
申请日：2021-11-09
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
摘要： 本发明提供了一种电镀工艺预润湿系统及方法，其中，电镀工艺预润湿系统包括驱动装置、阴极夹具以及电镀槽；电镀槽内注入有电镀液；驱动装置与阴极夹具连接，驱动装置用于驱动阴极夹具平移、旋转或翻转；阴极夹具用于夹持晶圆，阴极夹具可在驱动装置的控制下带动晶圆以倾斜、旋转姿态浸入电镀液且使电镀液浸没晶圆面积的一半。本发明提供的电镀工艺预润湿系统及方法，利用电镀液与晶圆表面的接触以及电镀液本身的表面张力，结合晶圆的倾斜及旋转姿态，使电镀液冲击晶圆表面图形结构，从而使晶圆表面孔隙中的气泡不断被电镀液所取代，避免了后续电镀空洞现象的产生，实现了优异的电镀效果。
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公开(公告)号：CN114517329A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202210135631.9
申请日：2022-02-14
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D21/02 , C25D17/00 , H01L21/67 , H01L21/673
摘要： 本发明提供了一种晶圆冷却装置及电镀设备，其中，晶圆冷却装置包括冷却腔体、固态冷却机组及气体吹扫系统；固态冷却机组与冷却腔体的腔壁接触，冷却腔体的内部设置有多个晶圆放置架，冷却腔体和晶圆放置架均采用导热基板制成；气体吹扫系统包括若干个进气孔，若干个进气孔设置于冷却腔体的腔壁并面向晶圆放置架设置。本发明采用传导冷却和对流冷却相结合的方式，晶圆的冷却效率更高，相关工艺制程更快，且相较于单一的传导冷却方式，晶圆在降温过程中的表面温度更加均匀，从而还对保证晶圆的工艺良率有积极意义，并且，本发明支持多张晶圆的冷却加工，打破了晶圆冷却时间慢而对晶圆产能的限制。
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公开(公告)号：CN114267619A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111618256.5
申请日：2021-12-27
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： H01L21/673 , H01L21/68
摘要： 本发明公开了一种倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法，倾斜装置包括：存取单元具有多个单元格，各单元格沿水平方向阵列排布，且用于容纳片状板，单元格具有供片状板进出单元格的敞口的，其下部具有开口；支撑座能够定位存取单元；顶板设置在所述支撑座朝向存取单元一侧的表面上，并沿各单元格的阵列排布方向延伸，顶板的上表面倾斜设置，并通过开口与各单元格内的片状板相接触。该倾斜装置及晶圆片同侧倾斜方法通过设置倾斜的顶板于支撑座上，存取单元内的片状板与顶板接触，达到片状板同侧倾斜的目的，节约成本，结构简单，稳定性高。同时，实现片状板的同侧倾斜、均匀排列，使得片状板在特定环境下处理的更加均匀流畅，对于处理的提升有积极意义。
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公开(公告)号：CN114250501A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111605262.7
申请日：2021-12-24
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
发明人： 史蒂文·贺·汪
摘要： 本发明提供了一种可连续进行电镀和化镀的设备和方法，其中，可连续进行电镀和化镀的设备包括移动机构、晶圆夹具以及多个工作槽，晶圆夹具用于夹持晶圆，移动机构连接晶圆夹具；工作槽包括镀槽，镀槽包括电镀槽和化镀槽，镀槽共享一个晶圆夹具。在本发明中，镀槽共享一个晶圆夹具，从而有效降低了设备对晶圆夹具数量的要求，极大的降低了设备成本；并且，此举也避免了频繁更换晶圆夹具而导致的晶圆损毁、氧化、翘曲等诸多风险，极大的提高了工艺质量；此外，镀槽同时包含电镀槽和化镀槽，电镀工艺和化镀工艺在同一设备中进行，使得镀覆设备的结构更加紧凑，生产效率更高、生产成本更低。
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公开(公告)号：CN114232062A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111605263.1
申请日：2021-12-24
申请人： 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司
IPC分类号： C25D19/00 , C25D17/00 , C25D17/06 , C25D7/12 , C25D5/50 , C25D5/48 , C25D5/00 , C23C18/18 , C23C18/31
摘要： 本发明提供了一种金属镀覆设备，包括一处理室，处理室内集成有多个工作槽，工作槽包括镀槽和工艺槽，工艺槽包括非密封式处理工艺槽和密封式处理工艺槽；处理室内设置有移动机构和晶圆夹具，晶圆夹具用于夹持晶圆，移动机构用于驱动晶圆夹具移动，镀槽和全部或部分非密封式处理工艺槽共享一个晶圆夹具。本发明提供的金属镀覆设备，将工艺槽和镀槽集成在一个设备的处理室内，由此使得，晶圆在进行各项前处理工艺和/或后处理工艺、及镀覆工艺(电镀工艺和/或化镀工艺)的过程中，无须切换设备，能够在较短时间内由上一道工序进入下一道工序，极大的节约了时间成本，提升了工艺效率；并且，此举对提升晶圆的工艺质量亦有积极意义。
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