本发明提供一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法，属于短波红外光电材料技术领域，具体为：制备TOPTe前驱体溶液和Hg前驱体溶液，将TOPTe前驱体溶液注入Hg前驱体溶液中，35～50℃搅拌8～10min，得到HgTe量子点籽晶溶液；对油胺溶液进行脱气处理，将HgTe量子点籽晶溶液注入油胺溶液，70～90℃下自聚集生长3～5min，加入淬灭剂，冷却得到待过滤HgTe量子点溶液，采用反溶剂离心清洗多次，干燥得到自聚集生长单分散HgTe量子点。本发明所得HgTe量子点的形状、尺寸均匀性高，可以实现1400～2500nm短波光吸收，具有尺寸可控、低成本的优势。