本发明公开了一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构，属于金属‑半导体技术领域。包括：衬底层结构、半导体模块、绝缘介质层模块、电极模块以及顶层结构；半导体模块位于衬底层结构的上方，且中间有间隙；绝缘介质层模块位于半导体结构的上方的一端；电极模块位于半导体结构的的上方的另一端，且不与绝缘介质层模块连接；顶层结构位于绝缘介质层模块上方；半导体模块采用二维半导体材料；绝缘介质层模块采用电介质材料；电极模块采用二维半金属电极材料和传统金属电极材料；二维半金属电极材料面内原子通过共价键结合，层间采用范德华堆叠。本发明中有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。