公开(公告)号：CN117293037A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311273274.3

申请日：2023-09-28

申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  北京科技大学 ,  国网河南省电力公司

发明人： 史书怀 ,  吕中宾 ,  杜君莉 ,  罗雨欣 ,  夏大伟 ,  何晓宇 ,  张朝峰 ,  李珍平 ,  曹桂州 ,  李超 ,  姚伟 ,  张先坤 ,  汪莉

IPC分类号： H01L21/34 ,  H01L21/44 ,  H01L29/74 ,  H01L29/24 ,  H01L29/43 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

摘要： 本发明公开了一种新型二维半导体材料晶闸管的构筑方法，包括以下步骤：制备二维半导体材料、二维金属电极材料、电介质材料和传统金属电极材料；基于传统金属电极材料进行电极沉积；将电介质材料转移到沉积好的电极的基底上，然后将二维半导体材料转移堆叠在电介质材料上，将二维金属电极材料转移至二维半导体材料的一侧，并将传统金属电极材料转移到二维金属电极材料上作为阳极，将传统金属电极材料转移到二维半导体材料的另一侧作为阴极，完成二维半导体材料晶闸管的构筑。本发明将二维半导体材料和二维金属材料引入晶闸管，同时进行与之匹配的晶闸管结构设计，提升晶闸管的性能，为基于二维材料的晶闸管设计和优化提供了建议。

公开(公告)号：CN117794257A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311831874.7

申请日：2023-12-28

申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  北京科技大学 ,  国网河南省电力公司

发明人： 史书怀 ,  吕中宾 ,  杜君莉 ,  鲁思宇 ,  夏大伟 ,  何晓宇 ,  张朝峰 ,  丁国君 ,  姚伟 ,  王森 ,  张铮

IPC分类号： H10K10/43 ,  H10K85/20

摘要： 本发明公开了一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构，属于金属‑半导体技术领域。包括：衬底层结构、半导体模块、绝缘介质层模块、电极模块以及顶层结构；半导体模块位于衬底层结构的上方，且中间有间隙；绝缘介质层模块位于半导体结构的上方的一端；电极模块位于半导体结构的的上方的另一端，且不与绝缘介质层模块连接；顶层结构位于绝缘介质层模块上方；半导体模块采用二维半导体材料；绝缘介质层模块采用电介质材料；电极模块采用二维半金属电极材料和传统金属电极材料；二维半金属电极材料面内原子通过共价键结合，层间采用范德华堆叠。本发明中有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。

公开(公告)号：CN117293028A

公开(公告)日：2023-12-26

申请号：CN202311273341.1

申请日：2023-09-28

申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 ,  北京科技大学 ,  国网河南省电力公司

发明人： 杜君莉 ,  吕中宾 ,  史书怀 ,  刘明蕊 ,  夏大伟 ,  何晓宇 ,  李珍平 ,  曹桂州 ,  李超 ,  张朝峰 ,  张铮 ,  汪莉

IPC分类号： H01L21/332 ,  H01L21/28 ,  H01L29/74 ,  H01L29/16 ,  H01L21/683

摘要： 本发明公开了一种基于电极和介电层共同转移的二维晶闸管构筑方法，包括以下步骤：选取实验衬底，将铜箔基底上的石墨烯转移至所述实验衬底上，获得石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上依次制备介电层、金属电极层、粘附层和支撑层，获得层叠结构；利用水的张力，将所述层叠结构从所述实验衬底的表面剥离；构筑二维晶闸管的衬底，作为目标衬底；将剥离的层叠结构贴合到所述目标衬底上，并将所述粘附层和支撑层去除，进而完成二维晶闸管的制备。本发明利用水的张力进行金属电极和介电层共同转移方法，保证了二维材料界面的平坦、清洁，且具有普适性，有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。

公开(公告)号：CN115132836A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202210747152.2

申请日：2022-06-28

申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院

发明人： 史书怀 ,  杜君莉 ,  夏大伟 ,  王朝华 ,  赵永峰 ,  张朝峰 ,  丁国君 ,  张先坤 ,  何晓宇 ,  李珍平 ,  曹桂州

IPC分类号： H01L29/74 ,  H01L29/24 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

摘要： 本发明公开了一种基于静电掺杂的新型二维半导体材料晶闸管，所述晶闸管包括金属电极层、二维半导体层、结区层、绝缘介质层、SiO2基底层和底电极层；底电极层位于晶闸管的最下层，SiO2基底层完全覆盖在底电极层的上方，SiO2基底层的上方分别被结区层、绝缘介质层和金属电极层覆盖，绝缘介质层上方完全被二维半导体层覆盖，二维半导体层上方完全被金属电极层覆盖，通过向底电极层施加偏置电压来对所述晶闸管进行静电掺杂。本发明采用了通过在晶闸管底电极施加不同类型的偏置电压的静电掺杂机制，有助于二维半导体的晶闸管结构的设计和优化，扩展了晶闸管在新型半导体材料中的应用。

公开(公告)号：CN114879002A

公开(公告)日：2022-08-09

申请号：CN202210494290.4

申请日：2022-05-07

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  王玉南 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  陈匡磊 ,  黄银洁 ,  张彦哲 ,  曹志宏 ,  何晓宇 ,  赵航

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/28

摘要： 本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。

公开(公告)号：CN118390158A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410489372.9

申请日：2024-04-23

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  姜鹤 ,  张铮 ,  张先坤 ,  陈匡磊 ,  何晓宇 ,  刘一禾 ,  李瑞山 ,  耿宇 ,  陈超

IPC分类号： C30B25/00 ,  C30B29/46 ,  C30B1/10

摘要： 本发明属于二维材料制备技术领域，涉及一种二维二硫化钼材料的制备方法和应用。以钼源、硫粉为原料，惰性气体为载气，通过一个中间态蒸发过程将原料输运至熔融态的玻璃表面沉积为固态硫化钼，并在随后的刻蚀‑铺展‑硫化‑析出过程中获得常压、无氢化生长的超高质量超大面积二硫化钼单晶晶畴，制备得到的二维二硫化钼材料的单晶晶畴尺寸可以达到1.5cm，进而生长成尺寸为2英寸的晶圆级二维二硫化钼材料，厚度可在1‑2层。

公开(公告)号：CN114879002B

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202210494290.4

申请日：2022-05-07

申请人： 北京科技大学

发明人： 张跃 ,  王玉南 ,  张铮 ,  张先坤 ,  于慧慧 ,  陈匡磊 ,  黄银洁 ,  张彦哲 ,  曹志宏 ,  何晓宇 ,  赵航

IPC分类号： G01R31/26 ,  G01R31/28

摘要： 本发明涉及一种基于范德华光电探测器的单像素图像识别系统，包括：图像显微定位模块、范德华光电探测器、激光发射模块、图像移动模块、信号采集模块、图像处理模块；所述图像显微定位模块与所述激光发射模块连接，所述范德华光电探测器与所述信号采集模块连接，所述图像处理模块，分别与所述图像移动模块和所述信号采集模块连接。本发明通过设定像素块大小和控制图像移动，实现范德华光电探测器的成像功能，在重复多次的测试过程中，有限评估范德华光电探测器在实际应用时的稳定性和可重复性。