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公开(公告)号：CN117293037A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311273274.3
申请日：2023-09-28
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 北京科技大学 , 国网河南省电力公司
摘要： 本发明公开了一种新型二维半导体材料晶闸管的构筑方法，包括以下步骤：制备二维半导体材料、二维金属电极材料、电介质材料和传统金属电极材料；基于传统金属电极材料进行电极沉积；将电介质材料转移到沉积好的电极的基底上，然后将二维半导体材料转移堆叠在电介质材料上，将二维金属电极材料转移至二维半导体材料的一侧，并将传统金属电极材料转移到二维金属电极材料上作为阳极，将传统金属电极材料转移到二维半导体材料的另一侧作为阴极，完成二维半导体材料晶闸管的构筑。本发明将二维半导体材料和二维金属材料引入晶闸管，同时进行与之匹配的晶闸管结构设计，提升晶闸管的性能，为基于二维材料的晶闸管设计和优化提供了建议。
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公开(公告)号：CN117794257A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311831874.7
申请日：2023-12-28
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 北京科技大学 , 国网河南省电力公司
摘要： 本发明公开了一种基于二维器件组成的超薄短通道隧穿晶闸管结构，属于金属‑半导体技术领域。包括：衬底层结构、半导体模块、绝缘介质层模块、电极模块以及顶层结构；半导体模块位于衬底层结构的上方，且中间有间隙；绝缘介质层模块位于半导体结构的上方的一端；电极模块位于半导体结构的的上方的另一端，且不与绝缘介质层模块连接；顶层结构位于绝缘介质层模块上方；半导体模块采用二维半导体材料；绝缘介质层模块采用电介质材料；电极模块采用二维半金属电极材料和传统金属电极材料；二维半金属电极材料面内原子通过共价键结合，层间采用范德华堆叠。本发明中有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。
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公开(公告)号：CN117293028A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311273341.1
申请日：2023-09-28
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 北京科技大学 , 国网河南省电力公司
IPC分类号： H01L21/332 , H01L21/28 , H01L29/74 , H01L29/16 , H01L21/683
摘要： 本发明公开了一种基于电极和介电层共同转移的二维晶闸管构筑方法，包括以下步骤：选取实验衬底，将铜箔基底上的石墨烯转移至所述实验衬底上，获得石墨烯薄膜；在所述石墨烯薄膜上依次制备介电层、金属电极层、粘附层和支撑层，获得层叠结构；利用水的张力，将所述层叠结构从所述实验衬底的表面剥离；构筑二维晶闸管的衬底，作为目标衬底；将剥离的层叠结构贴合到所述目标衬底上，并将所述粘附层和支撑层去除，进而完成二维晶闸管的制备。本发明利用水的张力进行金属电极和介电层共同转移方法，保证了二维材料界面的平坦、清洁，且具有普适性，有助于基于二维半导体的晶闸管结构设计和优化，扩展新型半导体材料应用。
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公开(公告)号：CN117801535A
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202311839877.5
申请日：2023-12-28
申请人： 国网河南省电力公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司直流中心
摘要： 本发明涉及橡胶制备领域，具体涉及一种晶闸管用耐老化硅橡胶及其制备方法和应用。本发明提供的一种晶闸管用耐老化硅橡胶，以重量份计，包括如下原料：硅橡胶基体材料100份、硫化剂0.8～2份、抗氧化剂0.2～1份、结构控制剂6～8份、填料70～100份、耐热添加剂1～4份；其中，所述填料包括氢氧化铝、气相法白炭黑和纳米氧化锌；氢氧化铝、气相法白炭黑、纳米氧化锌的质量比为(45～60):(20～30):(5～10)；所述耐热添加剂包括三氧化二铁和炭黑；所述耐热添加剂中的三氧化二铁与炭黑的质量比为(0.5～3)：(0.5～1)。本发明提供的晶闸管用耐老化硅橡胶在晶闸管工作环境中力学性能和热力学性能能够长期保持在良好的水平。
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公开(公告)号：CN117825121A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202311826907.9
申请日：2023-12-27
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 国网智能电网研究院有限公司 , 国网河南省电力公司直流中心
摘要： 一种可控硅截面金相样品的制备方法，属于金相样品制备技术领域。本发明可控硅截面金相样品的制备方法，包括以下步骤：步骤1、使用树脂对可控硅进行包裹；步骤2、使用水刀对可控硅进行切割；步骤3、将切割得到的试样使用树脂进行冷镶；步骤4、打磨；步骤5、抛光。本发明填补了可控硅截面金相样品制备的空白，为可控硅制造工艺改进提供了可靠的检测数据和保障。
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公开(公告)号：CN117516458A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311457089.X
申请日：2023-11-03
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC分类号： G01B21/32 , G06K17/00 , G06K19/077 , G01B21/02
摘要： 本申请涉及电力系统维护技术领域，具体是一种IGCT换流阀阀厅钢构件结构应变监测系统，其包括处理装置、射频读写装置、以及若干个分别安装在若干受监测钢构件上的射频应答装置和传感装置；所述处理装置，用于控制射频读写装置向射频应答装置发送射频信号指令。本申请通过传感装置、处理装置、控制射频读写装置和射频应答装置的配合设置，实现对换流站IGCT换流阀阀厅内若干钢构件进行远程、实时和全面的监测，能够快速的对受监测钢构件的服役安全性进行判断，提高了换流站IGCT换流阀阀厅钢构件的监测效率，提高了换流站在运行时的可靠性和安全性。
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公开(公告)号：CN114295946B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202111651005.7
申请日：2021-12-30
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 武汉大学
IPC分类号： G01R31/12
摘要： 本发明提供一种多特高频传感器组多样本信号逐次逼近求解方法，包括以下操作步骤：S01)、将UHF传感器阵列进行排列组合；S02)、对同一位置PD源在不同时刻获取N组PD样本数据；S03)、估算各PD样本数据对应的定位初值；S04)、分别给出各样本初值点与四个传感器位置连线段的中点坐标，对初值点进行分组并建立基于中线长度和的寻优目标函数；S05)、对每组寻优目标函数进行全局搜索最小值，将上一步得到的解作为下一次优化的初值，重复S04)和S05)操作直至得到最优解；S06)、再次重复S04)和S05)操作，求得最终全局最优解。本发明基于逐次渐进的思想对由定位所得样本值与传感器阵列建立的寻优目标函数进行递归逼近处理，从而获取更准确的PD源位置。
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公开(公告)号：CN118960801A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411051399.6
申请日：2024-08-01
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司
IPC分类号： G01D5/353 , G01K11/322 , G01K11/3206 , G01H9/00
摘要： 一种结合布里渊与瑞利散射的多参数光纤传感系统及方法，利用同一激光脉冲在同一单模光纤上同时激发瑞利和布里渊反向散射，根据振动的快速变化特性和温度的静态特性，通过布里渊光时域反射法(B‑OTDR)提取被测光纤温度，同时通过相敏光时域反射法(φ‑OTDR)提取光纤振动频率，从而可以同时测量温度和振动状态，用于多参数融合的主循环泵及其它电气设备的故障诊断和健康状态评价。
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公开(公告)号：CN118604405A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410806849.1
申请日：2024-06-21
申请人： 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司 , 国网河南省电力公司 , 国网河南省电力公司电力科学研究院
IPC分类号： G01R1/04 , G01R31/26 , H01L29/744
摘要： 本发明公开了一种大功率IGCT芯片阻断特性测试用夹具及测试方法，包括绝缘的夹具盘，夹具盘上设置有载片区，载片区由夹具盘的上表面向下凹陷，载片区的底面上设置有突出部和圆形口，圆形口内装配有金属结构件，芯片放置在载片区内后，金属结构件的顶部与芯片的阴极面接触；与现有技术相对比，本发明的有益效果是：将芯片放入测试夹具，通过测试芯片P1N1P2结构阻断电压，进而获取芯片I‑V特性，该测试方式所得特性结果和门阴极施加负偏压或短路处理测试回路相同。但减少门阴极间施加负偏压或短路处理过程，采用该测试方法及测试夹具，减少了测试对准时间及门阴极间施加负偏压或短路处理过程，且可有效减少芯片表面损伤，具有较强的实用价值。
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公开(公告)号：CN118589569A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410638029.6
申请日：2024-05-22
申请人： 国网河南省电力公司电力科学研究院 , 国网河南省电力公司 , 国家电网有限公司直流技术中心 , 清华大学 , 西安西电电力系统有限公司 , 西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司
发明人： 姚德贵 , 董曼玲 , 宋伟 , 张军 , 徐玲铃 , 周宁 , 张国华 , 刘湘莅 , 鲁一苇 , 肖超 , 魏卓 , 高晟辅 , 张嘉涛 , 张朝峰 , 王森 , 余占清 , 曾嵘 , 张松 , 娄彦涛 , 陆剑秋 , 高珂 , 王江平 , 张磊 , 王峰瀛
摘要： 本发明涉及直流输电技术领域，公开了一种复合式HCC换流装置，包括并联的第一开关支路和第二开关支路；第一开关支路上设有混合阀组件和至全IGCT阀组件，混合阀组件包括第一晶闸管开关单元和第一IGCT开关单元，全ICGT阀组件包括至少一个第二IGCT开关单元；所有第一晶闸管开关单元、第一IGCT开关单元和第二IGCT开关单元串联连接；第二开关支路包括第二晶闸管开关单元；在使用时，本发明的HCC换流装置通过设置第一开关支路和第二开关支路，以及在第一开关支路上设置带有晶闸管开关单元和IGCT开关单元的混合阀组件和设置带有IGCT开关单元的全IGCT阀组件，在第二开关支路上设置晶闸管开关单元，从而使本发明既可以运行在全控模式也可以运行在半控模式，增强了可运行能力。
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