发明公开
- 专利标题: 功率半导体器件测试温度确定方法及系统
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申请号: CN202410256663.3申请日: 2024-03-06
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公开(公告)号: CN117849570A公开(公告)日: 2024-04-09
- 发明人: 郑贵方 , 庞振江 , 占兆武 , 温雷 , 文豪 , 卜小松
- 申请人: 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
- 申请人地址: 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园6号楼C901;
- 专利权人: 深圳智芯微电子科技有限公司,深圳市国电科技通信有限公司
- 当前专利权人: 深圳智芯微电子科技有限公司,深圳市国电科技通信有限公司
- 当前专利权人地址: 广东省深圳市福田区福保街道福保社区桃花路与槟榔道交汇处西北深九科技创业园6号楼C901;
- 代理机构: 北京清亦华知识产权代理事务所
- 代理商 张培培
- 主分类号: G01R31/26
- IPC分类号: G01R31/26
摘要:
本申请公开了一种功率半导体器件测试温度确定方法及系统,方法包括:为试验箱内的器件设置0偏压,并设置试验箱为预设温度和预设相对湿度,待运行第一预设时长后测试器件结温并作为标定结温;将器件的偏压升高到预设比例的阻断电压,并从预设温度调整试验箱的温度,待运行第二预设时长后测量器件的当前结温;根据器件的当前结温与标定结温调整试验箱的温度,将器件的当前结温等于标定结温时的试验箱的温度确定为测试温度。本申请公开的技术方案,通过不断调整试验箱的温度以及测试器件的当前结温使得当前结温与标定结温一致,将当前结温等于标定结温时的试验箱的温度作为器件的测试温度,以减少器件表面相对湿度的下降,从而提高器件测试准确性。
公开/授权文献
- CN117849570B 功率半导体器件测试温度确定方法及系统 公开/授权日:2024-08-27