-
公开(公告)号：CN117849570B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202410256663.3
申请日：2024-03-06
申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了一种功率半导体器件测试温度确定方法及系统，方法包括：为试验箱内的器件设置0偏压，并设置试验箱为预设温度和预设相对湿度，待运行第一预设时长后测试器件结温并作为标定结温；将器件的偏压升高到预设比例的阻断电压，并从预设温度调整试验箱的温度，待运行第二预设时长后测量器件的当前结温；根据器件的当前结温与标定结温调整试验箱的温度，将器件的当前结温等于标定结温时的试验箱的温度确定为测试温度。本申请公开的技术方案，通过不断调整试验箱的温度以及测试器件的当前结温使得当前结温与标定结温一致，将当前结温等于标定结温时的试验箱的温度作为器件的测试温度，以减少器件表面相对湿度的下降，从而提高器件测试准确性。
-
公开(公告)号：CN117849570A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410256663.3
申请日：2024-03-06
申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司 , 深圳市国电科技通信有限公司
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 本申请公开了一种功率半导体器件测试温度确定方法及系统，方法包括：为试验箱内的器件设置0偏压，并设置试验箱为预设温度和预设相对湿度，待运行第一预设时长后测试器件结温并作为标定结温；将器件的偏压升高到预设比例的阻断电压，并从预设温度调整试验箱的温度，待运行第二预设时长后测量器件的当前结温；根据器件的当前结温与标定结温调整试验箱的温度，将器件的当前结温等于标定结温时的试验箱的温度确定为测试温度。本申请公开的技术方案，通过不断调整试验箱的温度以及测试器件的当前结温使得当前结温与标定结温一致，将当前结温等于标定结温时的试验箱的温度作为器件的测试温度，以减少器件表面相对湿度的下降，从而提高器件测试准确性。
-
公开(公告)号：CN117155359B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202311417709.7
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/687 , H01L25/18 , H01L29/778 , G01R31/26 , G01R27/02
摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT器件预处理方法，包括：根据GaN HEMT器件的漏极与源极间的额定电压确定GaN HEMT器件的预处理电压；将GaN HEMT器件的源极与栅极之间短路，在GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压；当GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压的时长达到预处理时长时，去除漏极与源极间的预处理电压及源极与栅极间的短路。本发明公开的技术方案，通过为GaN HEMT器件施加高电压预处理来改善GaN HEMT器件的表面态缺陷，降低开启时的载子捕获概率，从而降低GaN HEMT器件的动态导通电阻，以优化GaN HEMT器件的动态性能和可靠性。
-
公开(公告)号：CN117155359A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311417709.7
申请日：2023-10-26
申请人： 深圳智芯微电子科技有限公司
IPC分类号： H03K17/14 , H03K17/687 , H01L25/18 , H01L29/778 , G01R31/26 , G01R27/02
摘要： 本发明公开了一种GaN HEMT器件预处理方法，包括：根据GaN HEMT器件的漏极与源极间的额定电压确定GaN HEMT器件的预处理电压；将GaN HEMT器件的源极与栅极之间短路，在GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压；当GaN HEMT器件的漏极与源极之间施加预处理电压的时长达到预处理时长时，去除漏极与源极间的预处理电压及源极与栅极间的短路。本发明公开的技术方案，通过为GaN HEMT器件施加高电压预处理来改善GaN HEMT器件的表面态缺陷，降低开启时的载子捕获概率，从而降低GaN HEMT器件的动态导通电阻，以优化GaN HEMT器件的动态性能和可靠性。
-
-
-
搜索结果
4 条记录 (耗时 0.048 秒)
